【简介】MITSUBISHI三菱-功率器件-低损耗
三菱功率器件依托 CSTBT 与 SiC 工艺，导通、开关损耗低，电能转化效率高，逆变器发热减少，降低整机散热负荷与长期运行能耗。

MITSUBISHI三菱-功率器件-低损耗

MITSUBISHI三菱-功率器件-低损耗

损耗是电力电子变换器核心指标，分为导通损耗与开关损耗，损耗越高，电能转化为热量越多，设备能效越低。三菱功率器件搭载自研 CSTBT™ IGBT 以及 SiC MOS 芯片，通过优化载流子存储结构、沟槽栅版图，大幅压低导通压降与开关切换损耗，实现优异能效表现。在光伏逆变器、UPS、伺服驱动器、轨道交通牵引变流器这类长时间连续运行设备中，低损耗带来的节能收益十分可观。同等功率等级下，器件发热总量下降，散热器规格可以缩小，整机体积、重量同步优化，还能降低机房、车载散热系统的耗电。传统硅基 IGBT 在高频工况下开关损耗会快速上升，而三菱 SiC 功率器件在几十千赫兹高频下依旧维持低损耗，适配高频开关电源、高频 PFC 方案。器件针对不同工况做差异化优化：工频、低频工业传动型号侧重导通损耗优化；高频电源、新能源升压场景优先降低开关损耗。出厂测试导通压降、开关能量 Eon/Eoff，损耗超标管芯直接剔除，同批次损耗一致性好，方便批量整机调试。低损耗同时兼顾安全裕量，不会为了追求低损耗牺牲短路耐受时间。对于新能源发电项目，发电侧变流器全天运行，损耗降低直接提升发电量收益；工业变频器大批量使用场景，长期节电可以显著压缩企业用电成本。三菱持续迭代第七代、第八代 IGBT 与第二代 SiC 芯片，不断刷新损耗指标，在功率半导体节能赛道持续迭代，为各类电力变换设备提供低损耗核心功率芯片方案。