MITSUBISHI三菱-功率器件-高频化 三菱 SiC 功率器件支持高频开关，最高可达数十 kHz，缩小电感、电容体积，助力电源、PFC、高频逆变器小型轻量化。

MITSUBISHI三菱-功率器件-大电流 三菱功率模块单模块电流规格覆盖至千安级，芯片均流设计优异，通流能力强，适合大功率储能、机车牵引、工业传动设备。

MITSUBISHI三菱-功率器件-高耐压 三菱功率器件芯片耐压等级丰富，最高可达 4500V，芯片电场优化，耐受高压冲击，适配高压储能、轨道交通、高压变频器场景。

MITSUBISHI三菱-功率器件-低损耗 三菱功率器件依托 CSTBT 与 SiC 工艺，导通、开关损耗低，电能转化效率高，逆变器发热减少，降低整机散热负荷与长期运行能耗。

MITSUBISHI三菱-高频器件-GaN 工艺 三菱高频器件采用氮化镓 GaN 半导体工艺，宽禁带材料，击穿电压高，功率密度大，相比传统硅器件性能优势显著。

MITSUBISHI三菱-高频器件-高可靠 三菱高频器件严苛管控晶圆、封装全流程，经过多维度可靠性试验，抗老化能力强，长期连续工作稳定，故障率低。