【简介】MITSUBISHI三菱-高频器件-GaN 工艺
三菱高频器件采用氮化镓 GaN 半导体工艺，宽禁带材料，击穿电压高，功率密度大，相比传统硅器件性能优势显著。

MITSUBISHI三菱-高频器件-GaN 工艺

MITSUBISHI三菱-高频器件-GaN 工艺

氮化镓 GaN 属于第三代宽禁带半导体材料，相比传统硅 LDMOS，拥有更高击穿电压、更高电子饱和漂移速度、更优导热潜力与功率密度，是当前高频大功率射频器件主流技术路线，三菱自研 GaN 外延与器件工艺，打造高性能高频射频管芯。高击穿电压意味着器件可以工作在更高供电电压，同等输出功率下工作电流更小，供电线路损耗降低，无源偏置元件选型更容易。超高功率密度是 GaN 最核心优势，很小面积管芯就能输出很大射频功率，是器件小型化的基础。同时 GaN 适合高频工作，在毫米波、厘米波频段增益和效率表现优于硅器件，适配 5G、卫星通信、新一代雷达向更高频段发展的趋势。三菱 GaN 工艺兼顾脉冲与连续波两种应用方向：脉冲雷达型号优化脉冲耐受能力，高峰值功率下不容易出现电流崩塌；连续波通信型号侧重长期稳定、效率与线性均衡。外延层生长采用 MOCVD 精密控制，管控 AlGaN/GaN 异质结界面质量，保证二维电子气迁移率高、均匀性好，批次之间管芯参数离散度低。GaN 器件静电敏感度高于硅器件，三菱在芯片内部集成 ESD 防护结构，同时配套规范的存储、焊接使用指引，降低客户操作损坏风险。目前 5G 宏基站功放、有源相控阵雷达、卫星地面站发射机越来越多地切换到 GaN 方案，替代老旧硅基功放。三菱 GaN 工艺持续迭代，不断提升频率上限、功率密度、效率指标，紧跟射频技术升级浪潮，为高频大功率射频系统提供新一代半导体核心器件支撑。