【简介】MITSUBISHI三菱-高频器件-大功率
三菱高频 GaN 功率器件单管输出功率高，单管即可实现大功率射频输出，减少功率合成路数，简化合路网络，降低插损。

MITSUBISHI三菱-高频器件-大功率

MITSUBISHI三菱-高频器件-大功率

大功率是三菱 GaN 高频器件核心卖点之一，依托氮化镓材料高击穿场强特性，单颗管芯可以承受更高工作电压，实现单管大功率射频输出。传统硅 LDMOS 器件想要获得高射频功率，往往需要多路功率合成，合路器会引入插入损耗，损耗变成热量浪费，同时合路网络体积大，调试复杂。单管大功率方案能够减少合成支路数量，简化功放架构。在雷达、远距离通信基站、广播发射系统当中，发射功率需求很高，使用大功率单管可以减少器件数量、简化无源合分路电路，降低合路带来的功率损耗，提升整套发射机效率。法兰封装大功率型号专门面向雷达、地面测控站设计，支持脉冲模式短时输出高峰值功率，峰值功率远高于连续波平均功率，适配脉冲雷达工作体制。三菱大功率器件做好内部电流均分设计，大电流工况下管芯各区域电流分布均匀，避免局部电流集中过热烧毁。器件内部集成稳健的静电防护结构，降低生产焊接、调试阶段静电损伤风险。大功率型号配套标准法兰散热底座，可以直接锁紧在水冷或者风冷散热器表面，热传导路径短，散热能力充足。出厂会逐批测试饱和输出功率，严控功率下限，保证批量交付功率达标。同时管控功率离散度，同批次器件饱和输出一致性好，多路合成时各路功率匹配度高，合成效率更高。大功率器件的偏置电路、驱动方案原厂提供参考设计，降低大功率功放开发门槛。在气象雷达、安防雷达、远距离专网电台等设备中，大功率射频输出能够拓展无线覆盖距离，提升探测范围，是远距离射频装备的核心功率器件选择。