产品介绍MKS美国-流量控制器-阀关断泄漏率低
MKS美国-流量控制器-阀关断泄漏率低
MKS 数字型气体质量流量控制器具备阀关断泄漏率低的优异特性,采用精密阀座密封结构,阀门关闭后残余漏气量极低,可有效阻断待机状态下微量气体渗入工艺腔体,广泛用于半导体、真空镀膜、光伏薄膜、精密气相合成等高洁净高纯供气工艺,消除待机残余气体带来的腔体污染问题。
普通流量控制器阀门关闭后存在一定内漏,在待机、工艺间歇阶段,上游气源会持续有微量气体越过阀座流入下游腔体。在 ALD、薄膜沉积、等离子刻蚀等精密制程中,这类微量泄漏会抬升腔体本底浓度,产生首片效应,造成第一片晶圆薄膜组分、厚度异常;多气体轮换工艺中,残余气体还会引发气路交叉污染,破坏腔体洁净环境,导致批次良率波动。MKS 这款 MKS MFC 优化阀座与密封结构,严格控制阀关断泄漏率,阀门收到关断指令后实现可靠密封,大幅抑制待机阶段的气体内渗,维持腔体本底洁净,消除残余气体对下一轮工艺的干扰。
产品搭载高性能传感单元与高速数字处理芯片,低泄漏密封设计不影响流量闭环调节性能,微量供气至满量程区间流量测控精度稳定。阀体可选全金属密封结构,泄漏率低,流道洁净,兼容惰性气体、反应气体以及各类腐蚀性特种工艺气体,满足半导体等高洁净工艺标准。
通讯接口配置丰富,支持模拟信号、RS485、EtherCAT 等主流工业总线,可无缝接入自动化控制系统,远程读取实时流量、阀状态,便于监测阀门关断后的零点状态,判断是否存在泄漏隐患。每台 MKS 流量控制器出厂均完成阀关断密封性检漏测试,验证内漏指标,保障长期使用密封可靠。整机结构经过抗振优化,适配设备狭小舱内安装,运维周期更长。
在半导体晶圆刻蚀、薄膜沉积、光学涂层、材料科研等场景,腔体本底洁净度直接决定工艺重复性。MKS 凭借阀关断泄漏率低的特性,在工艺间歇阶段可靠阻断气源,避免残余气体渗入腔体,消除首片效应与气体交叉污染,稳定把控工艺气体配比,缩小批次间工艺差异,提升成品良率。依靠优异的关断密封能力,该流量控制器成为高洁净、间歇时序精密供气场景的优选元器件。
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