【简介】MKS美国-压力传感器-气体种类无关测量
采用力学形变检测压力，读数与气体种类无关，不受气体分子量影响。高精度绝压测量，零点稳定，适配半导体各类工艺气体真空监测。

MKS美国-压力传感器-气体种类无关测量

MKS美国-压力传感器-气体种类无关测量

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器最核心的技术亮点，就是气体种类无关测量特性，这也是它区别于热传导、电离类真空计的关键优势，广泛应用于半导体、真空镀膜、等离子工艺、精密科研等场景。

常规真空测量仪表，如热传导真空计，依靠气体分子导热特性检测压力，测量结果高度依赖气体分子量。更换氮气、氩气、氧气、氟基工艺气体时，导热系数会发生明显变化，读数偏差随之产生，必须根据气体种类修正换算，在多气体交替的工艺腔体中极易造成工艺失控。电离真空计同样受气体电离效率影响，不同气体下测量误差大，难以直接读取真实压力值。

MKS Baratron 电容薄膜规则采用纯力学测量原理，从底层规避了气体组分带来的干扰。传感器核心为 Inconel 合金弹性薄膜与固定电极组成的电容腔，被测介质压力作用于膜片产生微小形变，改变极板间隙，电容变化量仅由压力大小决定。整个传感过程只感知压力带来的机械位移，不依赖气体分子的导热、电离等化学物理属性。无论腔体内是惰性气体、反应性工艺气体或是混合气体，仪表输出均直接对应真实绝对压力，测量读数与气体种类无关，无需气体系数修正。

产品内置精密温度补偿电路，抑制环境温度变化引发的膜片蠕变与零点漂移，保证长时间工况下的测量重复性。全金属密封结构，耐受半导体刻蚀、沉积工序中的腐蚀性特种气体，抗等离子轰击能力强。量程覆盖从粗真空到超高真空区间，具备高线性、低迟滞、零点漂移小等特点，校准周期更长，降低产线维护频次。

在半导体晶圆制造流程中，腔体常需要切换多种工艺气体，压力稳定性直接决定薄膜均匀度与刻蚀精度。MKS 电容薄膜传感器实时反馈腔体真实压力，为真空泵、压力调节阀提供闭环控制信号，不同气体切换时压力数据连续可靠，避免因气体差异造成误判。凭借气体无关测量这一核心特性，MKS Baratron 成为精密真空工艺中压力测控的优选方案，保障制造工艺稳定性与良率。