【简介】MKS美国-压力传感器-抗卤素工艺气
Baratron 芯体浸润面为 Inconel 镍基合金，全焊接结构耐受卤素等离子侵蚀。恒温款抑制副产物沉积，气体无关测量，适配半导体刻蚀制程。

MKS美国-压力传感器-抗卤素工艺气

MKS美国-压力传感器-抗卤素工艺气

MKS Baratron 巴特拉压力传感器可稳定抵抗卤素工艺气体侵蚀，浸润面采用 Inconel 镍基合金搭配全焊接金属密封结构，能够承受氟、氯类卤素气体及等离子轰击，适配半导体等离子刻蚀等含卤素的精密真空制程，解决普通金属传感器易被卤素介质腐蚀失效的痛点。

卤素气体以及卤素等离子体化学活性，在半导体刻蚀工艺环境下，极易对普通不锈钢等金属产生腐蚀，造成膜片表面损伤、沉积物附着，引发零点漂移，甚至直接破坏传感膜片，导致传感器报废。MKS 选用的 Inconel 镍基合金，铬钼合金元素含量高，在卤素等离子环境下能够形成稳定钝化保护层，抵抗离子轰击与化学腐蚀，大幅降低介质对浸润面的侵蚀速率。传感器采用全焊接一体成型工艺，无有机密封圈、无钎焊缝隙，消除缝隙腐蚀隐患，避免卤素介质在接缝处持续侵蚀。

恒温型版本通过闭环温控将传感芯体保持在设定温度，让工艺反应生成的卤化物、聚合物副产物难以在膜片表面冷凝堆积，减少污染物附着带来的零点缓慢偏移，延长校准周期。常温款更适合低沉积物、弱卤素的洁净工艺环境。传感器依托张拉 Inconel 膜片电容力学测压原理，具备气体无关测量特性，卤素气体切换时，压力读数不受气体分子量影响，无需反复修正补偿参数。

芯体自带双层安全壁与膜片限位保护，遭遇异常压力冲击时，限制膜片最大形变量，防止塑性变形；情况下还可以锁住腐蚀性卤素介质，防止介质扩散，提升产线安全。出厂完成读数式多点标定，在腐蚀工况下依旧维持高分辨率、低迟滞与优异重复性。传感器输出 0–0V 模拟信号，接入压力控制器与 PLC，完成闭环压力调控、实时监测与工艺联锁保护。

半导体干法刻蚀大量使用含卤素工艺气体，腐蚀环境严苛，传感器一旦被腐蚀，会造成压力基准漂移，等离子状态失稳，直接影响刻蚀均匀度与产品良率。MKS 巴特拉传感器凭借镍基耐蚀浸润面、全焊接密封、可选恒温防沉积设计，实现对卤素工艺气的耐受能力，长期稳定输出精准压力数据，降低腐蚀带来的工艺风险与备件更换成本，广泛用于半导体刻蚀、薄膜沉积、光学镀膜等含腐蚀性介质的真空测控场景。