【简介】MKS美国-压力传感器-强耐介质腐蚀
浸润面采用 Inconel 镍基合金全焊接结构，耐受卤素等离子与工艺副产物侵蚀。恒温款可防止沉积物冷凝，保障半导体腐蚀真空工况长期稳定测量。

MKS美国-压力传感器-强耐介质腐蚀

MKS美国-压力传感器-强耐介质腐蚀

MKS Baratron 巴特拉压力传感器拥有强耐介质腐蚀能力，浸润面采用 Inconel 镍基合金并采用全焊接一体成型工艺，无有机密封件与钎焊缝隙，可抵抗卤素等离子体、卤化物以及各类工艺反应副产物侵蚀，是半导体等离子腐蚀工况的优选压力测量组件。

半导体刻蚀、CVD 薄膜沉积工艺会产生强腐蚀性等离子与聚合物沉积物，普通不锈钢材质容易被逐步侵蚀，产生点蚀，腐蚀产物附着在膜片表面，改变膜片力学特性，造成零点漂移、读数失真，缩短传感器使用寿命。MKS 选用的 Inconel 镍基合金，含有高占比铬、钼元素，在等离子、卤素介质环境下，表面可形成稳定钝化膜，抵御离子轰击与化学腐蚀。全焊接结构消除缝隙腐蚀风险，不存在易被腐蚀的粘接、钎焊界面，大幅降低介质侵蚀破坏的概率。

恒温型传感器可将浸润面维持在高于副产物冷凝点的温度，避免聚合物、盐类副产物冷凝沉积在膜片表面，从源头减少污染物堆积，既减轻化学腐蚀，也防止沉积物改变膜片力学性能，延长校准周期。常温非加热款则适合洁净、沉积物少的工艺环境。

传感器基于电容膜片力学测压原理，具备气体无关测量特性，耐蚀性能不会随工艺气体切换而衰减。张拉式膜片保持低迟滞、高分辨率，搭配读数式多点标定，在腐蚀环境中长期维持测量精度。双层安全壁结构作为防护兜底，即便膜片受损，也能限制腐蚀性介质扩散，提升产线安全性。传感器输出标准 0–10V 模拟信号，接入压力控制器与 PLC 系统，实现实时压力监控与超压联锁。

半导体量产工艺长时间处于腐蚀性等离子环境，传感器腐蚀会带来工艺漂移、设备停机等问题。MKS 巴特拉传感器依靠镍基合金浸润面、全焊接密封、可选恒温防沉积设计，实现强耐介质腐蚀，延缓性能衰减，保障压力测量长期稳定，减少因传感器腐蚀带来的产线维护成本与良率损失，广泛应用于半导体、光学镀膜、科研真空等强腐蚀精密真空测控场景。