【简介】MKS美国-压力传感器-耐等离子侵蚀
Baratron 芯体浸润面为 Inconel 镍基合金，全焊接无有机件。抵御等离子离子轰击，恒温款减少沉积物，适配半导体等离子真空工艺监测

MKS美国-压力传感器-耐等离子侵蚀

MKS美国-压力传感器-耐等离子侵蚀

MKS Baratron 巴特拉压力传感器拥有优异的耐等离子侵蚀性能，浸润面采用 Inconel 镍基合金并采用全焊接金属密封结构，无橡胶、塑料等有机材料，有效抵御等离子离子轰击与化学腐蚀，是半导体等离子刻蚀、CVD 沉积工艺的核心压力测量部件。

等离子环境同时存在高能离子冲击与强化学活性自由基，普通金属或者带有有机密封件的传感器，极易遭受离子溅射侵蚀，有机材料还会发生放气，污染真空腔体，沉积物附着膜片会造成零点漂移。MKS 选用的 Inconel 镍基合金，含有高比例铬、钼元素，在等离子环境下能够形成致密钝化保护层，抵抗高能离子轰击，减缓溅射腐蚀速率。传感器采用全焊接一体成型，不存在有机密封圈，杜绝高分子材料被等离子分解、释放杂质气体的风险，维持腔体洁净度。

恒温版本依靠闭环温控提升膜片表面温度，防止等离子反应生成的聚合物、卤化物副产物冷凝沉积在膜片表面，避免沉积物改变膜片力学特性，延缓零点漂移，有效延长传感器的校准周期。常温款更适合等离子强度低、副产物较少的洁净真空工况。该传感器基于电容力学测压原理，具备气体无关测量特性，等离子工艺气体切换时，压力读数不受气体分子量影响，无需频繁修改补偿参数。

芯体搭载径向张拉膜片，保持低迟滞、高分辨率，同时内置膜片限位保护与双层安全壁，突发过压冲击时限制膜片形变；膜片破损场景，可锁住腐蚀性介质，保障产线安全。出厂执行读数式多点标定，在等离子工况下保持稳定测量精度。传感器输出 0–10V 标准模拟信号，对接压力控制器、PLC，实现实时压力监控、闭环调压以及超压联锁保护。

半导体等离子工艺中，高能等离子持续轰击传感器浸润面，一旦传感器被侵蚀，会引发压力基准偏移、腔体污染，直接影响膜层均匀度、刻蚀速率，造成良率损失。MKS 巴特拉传感器依靠耐等离子合金材料、全焊接无有机物结构，抵抗离子溅射与化学腐蚀，长期维持测量稳定性，降低备件更换频率，广泛应用于半导体、光学镀膜、科研真空等等离子精密测控场景。