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MKS美国-压力传感器-内置高真空参考腔

【简介】MKS美国-压力传感器-内置高真空参考腔
作为恒定绝压基准,隔绝大气压波动干扰,膜片对比被测压力与真空基准,稳定输出精准绝对压力读数

产品型号:750D13PFF4GA
更新时间:2026-10-08
厂商性质:经销商
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产品介绍

MKS美国-压力传感器-内置高真空参考腔

MKS美国-压力传感器-内置高真空参考腔

MKS 美国 Baratron 电容薄膜绝压型压力传感器,搭载内置高真空密封参考腔,为绝压测量提供稳定不变的压力基准,消除外界大气压波动带来的测量误差,是半导体真空、等离子工艺、科研真空装置等领域的核心压力测量设备。

普通表压传感器以现场大气作为参考基准,而大气压会随海拔、季节、天气发生变化,直接引入测量偏差,无法满足真空工艺对压力真值的严苛要求。绝压传感器则需要一个恒定不变的基准,MKS 通过在传感器内部封装密封的高真空腔,以此作为固定零点基准,不受外部环境影响。

传感器核心结构将 Inconel 合金弹性膜片分隔为两侧,一侧通入被测工艺介质,另一侧就是经过抽真空并全金属焊接密封的高真空参考腔。参考腔在出厂前被抽取至高真空状态,再采用焊接工艺实现密闭,内部真空度长期保持稳定。工作时,被测介质压力与参考腔真空形成压差,推动膜片产生微形变,改变极板间隙,电容信号随之改变,经过电路换算,直接输出绝对压力值。

这套内置真空基准配合成熟的电容薄膜传感原理,测量结果仅取决于被测介质与内部真空之间的压差,与外界大气压力无关。同时依托 Inconel 膜片低蠕变、可逆形变特性,搭配出厂多点标定与温度补偿电路,抑制温变带来的零点漂移,保障基准稳定,读数长期可靠。

在半导体晶圆刻蚀、薄膜沉积等制程中,工艺参数以绝对压力作为标准,微小的基准扰动就会造成等离子状态偏移,影响膜层厚度与刻蚀形貌。MKS 传感器依靠内置高真空参考腔,持续输出不受天气、环境气压干扰的真实绝压,向真空泵、调压阀提供稳定反馈,维持腔体工艺条件一致,保障产品良率。

全金属焊接密封牢牢锁住参考腔内部真空,杜绝缓慢漏气造成基准劣化,延长传感器使用寿命与现场校准周期,降低产线停机维护成本。内置高真空参考腔作为 Baratron 绝压传感器的核心设计,奠定了高精度绝压测量的基础,使其成为真空精密测控领域的主流选择。


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