【简介】MKS美国-压力传感器-100℃加热防沉积型号
传感头维持 100℃高温，抑制工艺气体冷凝与颗粒物沉积，避免膜片污染，适配含腐蚀性前驱体的半导体真空工艺。

MKS美国-压力传感器-100℃加热防沉积型号

MKS美国-压力传感器-100℃加热防沉积型号

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器 100℃加热防沉积型号，传感头部持续维持 100℃恒温，有效阻止工艺气体冷凝、副产物凝结以及微粒沉积在膜片表面，避免传感元件被污染，专门适配含有腐蚀性前驱体、易凝结反应产物的半导体真空工艺。

在薄膜沉积、刻蚀等半导体制程中，很多工艺气体在降温后容易凝结成液态或固态副产物。当低温工艺尾气接触传感器膜片时，沉积物会附着在膜片与极板之间，改变膜片力学特性与电容间隙，造成零点漂移、精度下降，严重时会直接堵塞压力通道，导致传感器失效。常规常温传感器需要频繁拆解清洗，增加产线停机时间与维护成本。

该型号集成大功率加热组件与温度闭环控制回路，将传感探头稳定保持在 100℃，高于多数工艺副产物的冷凝点。工艺介质抵达传感腔时不会遇冷凝结，减少薄膜、粉末类沉积物附着在 Inconel 合金膜片上，保持膜片表面洁净，保护电容检测间隙不受异物干扰。

产品继承 Baratron 系列电容薄膜核心测量原理，配备内置高真空参考腔与吸气剂，保障绝压基准长期稳定。Inconel 膜片具备低蠕变、超低迟滞、高分辨率等优势，在 100℃恒温工况下完成出厂标定，消除温度变化带来的应力漂移，测量结果不受气体种类影响，可兼容多种腐蚀性工艺介质。

在半导体 PVD、CVD、刻蚀等生产工序，腔体内会持续产生可凝结的反应副产物。采用 100℃加热防沉积 Baratron 传感器，可大幅降低膜片积污速率，维持长期稳定的压力信号输出，为真空控制系统提供可靠反馈，保障等离子体与沉积工艺的稳定性，减少晶圆批次不良。

100℃加热防沉积设计延长传感器使用寿命，拉长清洗与校准周期，减少设备停机维护频次，提升产线稼动率。该型号解决了易凝结工艺环境下传感器易污染失效的痛点，是半导体含前驱体、腐蚀性介质真空压力监测的关键选型。