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MKS美国-压力传感器-焊接密封传感芯体

【简介】MKS美国-压力传感器-焊接密封传感芯体
全金属熔接封装,无有机密封件,气密性优异、低放气,适配半导体超高真空与腐蚀性介质压力检测。

产品型号:750D33PFE4GA
更新时间:2026-10-08
厂商性质:经销商
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产品介绍

MKS美国-压力传感器-焊接密封传感芯体

MKS美国-压力传感器-焊接密封传感芯体

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器搭载焊接密封传感芯体,采用全金属熔接封装工艺,摒弃橡胶、塑料等有机密封元件,气密性能优异、放气率低,适配半导体超高真空以及腐蚀性介质工况下的压力检测。

传统传感器芯体多依靠 O 型圈等弹性件实现密封。高分子密封材料在强腐蚀工艺气体、等离子环境中容易老化、溶胀,释放碳氢杂质污染真空腔体;同时长期使用会出现应力松弛,引发微泄漏,造成压力零点漂移,需要频繁校准更换,影响半导体产线连续运行。

焊接密封传感芯体将膜片、极板、腔体构件通过金属熔接方式连为一体,依靠金属母材本身实现密封,不存在有机密封件老化失效风险。焊缝致密稳定,可长期阻挡气体渗透,维持内部参考腔真空。芯体选用特种耐蚀合金,和接液膜片材质匹配,热膨胀系数相近,在温度变化、烘烤工况下焊缝不易开裂,结构稳定性更强。

产品沿用 Baratron 成熟电容薄膜测量原理,压差驱动合金膜片产生微米级形变,转化为电容变化信号。可搭配内置高真空参考腔与吸气剂,长期稳定绝压基准;可选恒温加热、高温烘烤版本,抑制工艺副产物沉积。出厂在标准工况下完成多点标定,具备超低迟滞、高分辨率与优异重复性,测量不受气体种类影响。

在半导体刻蚀、ALD、CVD 超高真空制程中,腔体对微泄漏、本底放气控制极其严格。焊接密封传感芯体极低的漏气率与放气水平,不会向工艺腔释放污染物,持续输出精准压力信号,为真空泵、工艺调压阀提供稳定闭环反馈,保障等离子状态与薄膜沉积均匀性,降低晶圆缺陷率。

焊接密封芯体大幅降低泄漏失效概率,延长传感器使用寿命与现场校准周期,减少设备停机维护。全金属熔接的设计,兼顾气密性、耐蚀性与低放气特性,解决了普通密封结构在超高真空、腐蚀环境下易泄漏、释气污染的痛点,是半导体真空压力测量的核心方案。


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