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MKS美国-压力传感器-出厂100氦检漏测试

【简介】MKS美国-压力传感器-出厂100氦检漏测试
检测全金属焊缝与密封部位微漏,保障气密性,杜绝真空泄漏,适配半导体超高真空精密压力监测

产品型号:750D33PFF2GA
更新时间:2026-10-08
厂商性质:经销商
访问量:48
产品介绍

MKS美国-压力传感器-出厂100氦检漏测试

MKS美国-压力传感器-出厂100氦检漏测试

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器,出厂阶段实施100% 氦检漏测试,对传感芯体焊缝、金属密封接口等关键位置开展微泄漏筛查,保障整机气密性,杜绝微小漏点,适配半导体超高真空精密压力监测场景。

真空系统中极其微小的漏孔,普通压力测试手段难以检出。空气会持续渗入腔体,抬升本底真空,引入水汽、氮气等杂质,污染工艺环境。尤其半导体超高真空制程,即便是微量泄漏,也会破坏等离子稳定性,造成薄膜沉积不均、刻蚀缺陷,严重影响晶圆良率。传统抽样检漏方式,存在漏件流出的风险。

氦检漏以氦气作为示踪气体,凭借氦分子质量小、穿透性强的特点,可精准捕捉微米级微漏。每一台 Baratron 传感器都要单独进入氦检工位,对焊接密封芯体、合金接液腔体、金属焊缝等全部密封区域进行检测。一旦检出超出阈值的漏率,产品直接判定不合格,不会流入下一工序,确保交付产品漏率指标全部达标。

产品延续 Baratron 经典电容薄膜测量架构,采用焊接密封传感芯体、镍基合金接液膜片,可选内置高真空参考腔与吸气剂。经过氦检漏合格的传感器,内部参考腔真空状态可长期保持稳定,避免因缓慢漏气造成零点漂移。传感器出厂同步完成多点标定,具备超低迟滞、高分辨率、重复性好等特性,测量结果不受气体种类影响。

在半导体 ALD、CVD、刻蚀等高精密真空产线,腔体本底真空与气密性是工艺核心指标。经过 100% 氦检漏的 Baratron 传感器不会引入外来漏气通道,持续输出可靠压力信号,为真空泵、工艺阀组提供闭环控制依据,维持腔体真空稳定,减少杂质带来的晶圆缺陷。

100% 全检模式消除抽样检测带来的漏检隐患,从生产源头把控密封可靠性,延长传感器校准周期,降低现场因微泄漏引发的停机故障。氦检漏作为出厂质控关键环节,是保障 Baratron 传感器在超高真空、半导体腐蚀工况长期稳定运行的重要质控手段。


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