【简介】MKS美国-压力传感器-强腐蚀工艺介质兼容
采用耐蚀合金接液结构，抵御卤素、等离子侵蚀，低放气，适配半导体刻蚀与沉积真空压力监测

MKS美国-压力传感器-强腐蚀工艺介质兼容

MKS美国-压力传感器-强腐蚀工艺介质兼容

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器支持强腐蚀工艺介质兼容，全套接液部位选用特种耐蚀合金，可抵御卤素气体、酸性气相前驱体与等离子离子轰击，放气率低，广泛用于半导体刻蚀、薄膜沉积工艺的真空压力监测。

半导体刻蚀、ALD、CVD 制程中大量使用含氟、含氯等卤素类强腐蚀性气体，工艺运行期间还伴随等离子体轰击。普通不锈钢材质传感器，长期接触这类介质极易出现点蚀、晶间腐蚀，膜片表面被离子刻蚀后弹性特性劣化，引发零点漂移、测量失准；同时橡胶类密封件会快速老化溶胀，释放污染物，造成真空泄漏，频繁停机更换传感器，严重影响产线稼动。

该款传感器采用镍基合金接液膜片与合金接液腔体，搭配全金属焊接密封传感芯体，无任何有机弹性密封件。合金成分富含铬、钼元素，可在介质接触表面形成致密稳定钝化膜，抵抗化学腐蚀，耐受等离子环境下的离子冲击，抑制材料剥蚀。全金属结构放气水平极低，不会析出碳氢杂质污染真空腔，满足洁净工艺要求。

产品沿用 Baratron 经典电容薄膜测量原理，依靠压差驱动合金膜片产生微形变，转换为电容信号输出。可选内置高真空参考腔、吸气剂稳定绝压基准，支持恒温加热、100℃防沉积、高温烘烤等配置；出厂经过 100% 氦检漏与多点标定，拥有低蠕变、超低迟滞、高分辨率特性，测量结果不受气体种类影响，还集成膜片破裂安全收容结构，提升工况容错性。

在半导体连续量产产线，强腐蚀介质长期持续作用于传感器接液面。强腐蚀兼容型 Baratron 可长期稳定采集腔体压力，向真空泵、工艺调节阀提供精准闭环信号，维持腔体内压力稳定，保障等离子状态与薄膜沉积、刻蚀均匀性，降低腐蚀引发的晶圆缺陷。

整套耐蚀结构方案，从膜片、腔体到密封进行全链路防腐设计，大幅延长传感器在腐蚀工况下的服役周期，减少备件更换频次与停机维护成本。解决了强腐蚀真空环境下传感器易被侵蚀、泄漏、污染的痛点，是半导体腐蚀工艺真空压力测量的核心选型。