【简介】MKS美国-压力传感器-臭氧介质适配特性
耐蚀合金全金属接液结构，抵御臭氧强氧化侵蚀，低放气，用于半导体臭氧氧化工艺真空压力监测

MKS美国-压力传感器-臭氧介质适配特性

MKS美国-压力传感器-臭氧介质适配特性

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器具备优异的臭氧介质适配特性，整套接液部件采用耐蚀合金全金属结构，可抵御臭氧强氧化侵蚀，放气率低，适用于半导体臭氧氧化、表面改性工艺的真空压力监测。

臭氧具备的氧化活性，在半导体氧化制程中，高浓度臭氧会持续攻击传感器材料。常规传感器使用的橡胶、塑料类密封件，接触臭氧后极易发生氧化脆化、开裂失效；普通不锈钢材质在臭氧氛围下不断氧化锈蚀，造成膜片弹性衰减，引发零点漂移、测量失准，还会产生微泄漏，析出杂质污染真空腔体，频繁更换传感器严重拖累产线稼动率。

该传感器接液膜片、腔体选用镍基耐蚀合金，搭配全金属焊接密封传感芯体，不含任何有机弹性密封件。合金基材接触臭氧后会生成致密稳定钝化膜，阻隔强氧化性介质持续侵蚀基体，避免材料氧化剥落。全金属一体化结构放气水平极低，不会释放碳氢类污染物，满足半导体超洁净工艺要求。

产品依托 Baratron 经典电容薄膜测量原理，压差驱动合金膜片产生微米级弹性形变，将形变量转化为电容信号输出。可选配内置高真空参考腔与吸气剂，长期稳定绝压基准；支持恒温加热配置，减少臭氧反应副产物冷凝沉积。出厂执行 100% 氦检漏与多点标定，拥有低蠕变、超低迟滞、高分辨率的性能优势，测量结果不受气体种类干扰，可选膜片破裂安全收容结构，提升整套真空系统安全冗余。

在半导体臭氧氧化量产工艺中，强氧化介质长期作用于传感器接液界面。适配臭氧工况的 Baratron 传感器可持续稳定采集腔体真空压力，向真空泵、工艺阀组输出精准闭环控制信号，维持腔体内压力恒定，保障晶圆表面氧化层生长均匀，降低介质氧化诱发的各类工艺缺陷。

从接液腔体、膜片到密封结构做抗臭氧专项优化，大幅延长传感器在臭氧强氧化环境下的服役周期，减少备件更换频次与停机维护成本，解决臭氧工况下密封老化、基材氧化、腔体污染等行业难题，是半导体臭氧工艺真空压力监测的核心选型。