【简介】MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积结构
内腔抛光 + 可选加热温控，减少沉积物附着，降低膜片污染，适配半导体沉积刻蚀真空监测。

MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积结构

MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积结构

MKS 美国 Baratron 电容薄膜压力传感器配备抗工艺副产物沉积结构，依托内腔精密抛光工艺搭配可选加热温控方案，减少工艺副产物附着堆积，降低膜片污染风险，适配半导体沉积、刻蚀工艺真空压力监测。

半导体刻蚀、薄膜沉积工艺运行期间，气相反应会生成大量固态、粉状副产物，随气流进入传感器内腔。普通传感器内壁粗糙，副产物极易附着堆积，长时间累积后覆盖膜片表面，改变膜片受力特性，造成零点漂移、测量失准；沉积物持续增厚还会堵塞流道，迫使设备停机拆解清洗，增加维护工时与产线停线损失。

传感器介质流道与膜片区域采用高光洁度抛光内壁，降低微观凹坑，减少副产物挂壁吸附。可选内置加热温控组件，维持传感头温度高于副产物凝结温度，抑制气相产物在膜片与腔壁凝结沉积。整机采用全金属焊接密封芯体，高纯耐蚀合金接液结构，无有机部件，避免副产物与高分子材料发生反应生成顽固垢层。

产品沿用 Baratron 经典电容薄膜测量原理，压差驱动合金膜片产生微米级弹性形变，转换为电容信号输出。可选内置高真空参考腔搭配吸气剂，长期稳定绝压基准；支持高温烘烤配置，便于定期除污。出厂执行 100% 氦检漏与多点标定，具备低蠕变、超低迟滞、高分辨率特性，测量结果不受气体种类影响，可选膜片破裂安全收容结构，提升整套真空系统安全冗余。

在半导体刻蚀、CVD 量产产线，工艺副产物持续随气流扩散。具备抗沉积结构的 Baratron 传感器可持续稳定采集腔体真空压力，向真空泵、工艺阀组输出精准闭环控制信号，延缓沉积物堆积，拉长传感器清洗周期，保障工艺压力稳定，减少副产物污染诱发的晶圆缺陷。

从内壁抛光到恒温加热实现多重防护，抑制副产物附着凝结，大幅降低清洗维护频次，解决半导体工艺中沉积物覆盖膜片、堵塞流道、漂移失准的痛点，是含大量工艺副产物工况下真空压力监测的优选传感器