【简介】MKS美国-压力传感器-最高 200℃高温版本
耐受高温工艺环境，保护膜片不受高温影响，适合高温真空腔体，稳定完成压力监测。

MKS美国-压力传感器-最高 200℃高温版本

MKS美国-压力传感器-最高 200℃高温版本

MKS Baratron® 压力传感器提供最高 200℃高温专用版本，针对高温真空工艺环境开发，核心电容膜片与传感腔体采用耐高温合金材料，结构经过热应力优化，可在最高 200℃介质温度下稳定工作，保障压力测量精度，广泛应用半导体沉积、高温镀膜、热处理真空腔体等场景，实现高温工况下压力在线监测与工艺闭环控制。

该高温版本延续成熟电容膜片测量原理，压力变化推动精密合金膜片产生弹性形变，改变极板间电容，经内部调理电路转换为标准压力信号输出。产品对膜片、焊接结构、密封组件进行耐高温升级，缓解高温环境带来的材料热应力，避免高温下膜片形变特性发生改变。内置适配高温工况的温度补偿机制，抵消高温带来的零点与量程漂移，在持续高温环境下维持测量稳定性。

高温型 Baratron 浸润部件选用耐温耐蚀镍基合金，全金属焊接密封结构，无易老化橡胶密封件，防止高温下密封失效。输出标准模拟信号，可对接真空控制器、PLC 与数据采集系统，用于腔体压力监控、气体配比调节、工艺联锁保护。产品兼顾耐温能力与真空密封性，可直接安装在高温腔体附近，无需长距离引压降温管路，减少引压管带来的压力滞后与冷凝风险。

普通标准型压力传感器无法承受高温工况，温度过高会造成密封件老化失效、膜片应力突变，引发读数漂移甚至传感器损坏。MKS 最高 200℃高温版本，专门解决高温腔体压力测量难题。即便如此，该传感器依然存在使用边界，介质中含有腐蚀性气体、粉尘颗粒，依旧会侵蚀膜片，建议增加前置防护；选型时需确认长期工作温度，不要持续超温运行。

半导体薄膜沉积、高温热处理等工艺，腔体温度长期处于较高水平，普通压力传感器无法就近安装，引压管路还容易出现冷凝、压力响应延迟问题。MKS Baratron 最高 200℃高温压力传感器，依托耐高温合金结构与热应力优化设计，可直接适配高温真空腔体，稳定采集压力数据，减少引压管路带来的工艺隐患，为高温真空精密工艺提供可靠压力监测方案