【简介】MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积
搭载抗副产物沉积结构，可选恒温加热，抑制工艺副产物附着，降低零点漂移。镍基耐蚀合金接液面，适配半导体刻蚀、薄膜沉积真空压力监测

MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积

MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积

在半导体刻蚀、薄膜沉积、等离子体工艺等精密制造场景中，反应生成的聚合物、粉尘与腐蚀性副产物极易附着在压力传感膜片表面，造成传感器零点偏移、测量失准，甚至直接损坏核心元件，频繁维护更换会严重影响产线稼动率。MKS 作为真空与压力测量领域头部品牌，推出具备抗工艺副产物沉积特性的 Baratron 电容薄膜压力传感器，针对性解决严苛工艺环境下的压力监测痛点。

该系列传感器核心采用成熟的电容薄膜测量原理，以金属薄膜作为压力感应元件，通过检测薄膜形变产生的电容变化，精准换算真空与压力数值。产品最大亮点为抗沉积防护设计，可选集成恒温加热模块，维持传感腔稳定高温环境，从物理层面抑制工艺副产物冷凝、粘附在膜片及内部流道，大幅减少聚合物堆积，延缓传感器性能衰减。接液接触面选用耐蚀镍基合金材质，耐等离子体冲刷、抗卤素气体腐蚀，兼顾耐高温与化学稳定性，适配各类强腐蚀工艺气体。

相比普通压力传感器，MKS 这款产品可显著延长校准周期与使用寿命，降低因副产物污染带来的停机维护频次。传感器测量精度高，响应速度快，输出信号稳定，可实时反馈腔体内压力变化，保障等离子体工艺的重复性与良率。产品支持真空至中高压宽量程覆盖，适配半导体干法刻蚀、PVD、CVD、原子层沉积 ALD 等核心制程，也可应用于特种材料镀膜、精密真空研发设备。

传感器集成成熟的信号调理电路，抗电磁干扰能力强，可直接接入设备控制系统，安装接口标准化，便于新旧产线改造替换。同时 MKS 提供的配套校准服务，出厂经过严格压力标定，保证长期测量一致性。面对越来越复杂的优良制程，工艺副产物污染一直是真空压力监测的难题，MKS 依靠抗沉积结构、恒温加热与耐蚀材料组合方案，减少副产物沉积对测量膜片的侵害，稳定控制工艺腔体压力，帮助客户减少备件消耗，提升产线稳定性，是真空工艺压力监测的优选传感方案。