【简介】MKS美国-压力传感器-蚀刻防沉积专用结构
搭载防沉积结构，可选恒温加热，阻挡刻蚀副产物附着膜片。耐腐蚀接液面，抑制零点漂移，保障半导体刻蚀腔体真空压力稳定监测

MKS美国-压力传感器-蚀刻防沉积专用结构

MKS美国-压力传感器-蚀刻防沉积专用结构

半导体干法蚀刻制程中，腔体内部等离子体反应会持续产生聚合物、粉尘、腐蚀性副产物，这类物质极易冷凝附着在压力传感器膜片与流道内壁，造成零点漂移、读数失真，严重时会直接损伤传感膜片，迫使设备停机拆洗、频繁更换传感器，制约产线稼动率。MKS 针对刻蚀工艺痛点，推出搭载蚀刻防沉积专用结构的 Baratron 电容薄膜压力传感器，为半导体刻蚀腔体提供高可靠真空压力监测方案。

传感器依托经典 Baratron 电容薄膜测量原理，以精密金属薄膜作为压力感应核心，通过捕捉压力变化带来的薄膜形变，转换为电容信号并精准输出压力数值，具备优异的线性度与长期稳定性。其核心优势在于蚀刻专用防沉积结构设计，可配置恒温加热组件，将传感头部维持在设定高温，避免刻蚀副产物在膜片表面低温冷凝附着，从源头减少聚合物堆积，大幅降低污染带来的测量偏差。

传感器介质接触面采用高性能耐蚀合金，耐受卤素气体、等离子体粒子轰击，抵抗刻蚀工艺强化学腐蚀，兼顾耐高温与抗冲刷能力，适配多类型介质刻蚀工艺。不同于普通真空压力传感器，这套防沉积结构能够有效隔离腔体内工艺残渣，延长传感器校准周期与使用寿命，减少拆检、清洁和备件更换频次，降低产线维护成本。

产品测量响应迅速，信号输出稳定，抗电磁干扰性能强，能够实时捕捉腔体压力细微波动，保证刻蚀工艺参数一致性，提升晶圆加工良率。量程覆盖从高真空到中压力区间，广泛适配介质刻蚀、硅刻蚀等干法刻蚀设备，也可兼容部分 ALD、PVD 等存在副产物沉积风险的薄膜工艺。标准化机械接口与电气输出，方便集成至全新刻蚀设备，也可用于存量产线传感器改造替换。

MKS 出厂对每台传感器完成严格压力标定，保证测量精度。在优良制程不断升级的背景下，刻蚀工艺反应愈发复杂，副产物污染问题更为突出。这款带蚀刻防沉积专用结构的 MKS 压力传感器，结合加热防护、耐蚀材料与独特流道设计，持续保障刻蚀腔体压力监测稳定，减少非计划停机，是半导体刻蚀设备真空测控的主流传感选择。