【简介】MKS美国-压力传感器-超低压0.02Torr微量程
0.02Torr 微量程规格，采用电容薄膜传感技术，具备高分辨率，精准捕捉微弱压力变化，适用于半导体真空、精细等离子工艺低压监测

MKS美国-压力传感器-超低压0.02Torr微量程

MKS美国-压力传感器-超低压0.02Torr微量程

优良半导体、等离子体研发等工艺中，超低压区间的压力控制直接决定制程良率。常规压力传感器在极低压力环境下分辨率不足，微弱压力变化难以识别，容易出现读数跳变、测量失真问题。MKS 推出 Baratron 电容薄膜压力传感器 0.02Torr 超低压微量程型号，专门针对极低压工况实现高精度压力检测，解决超真空微量压力监测难题。

传感器依托经典 Baratron 电容薄膜测量原理，核心感应单元采用超薄精密金属薄膜。在 0.02Torr 的极低压量程下，薄膜可对极其微小的压力变化产生形变，内部电容检测电路捕捉形变带来的电容差值，转换为标准压力信号输出。得益于 MKS 成熟的薄膜加工工艺，该微量程型号拥有超高压力分辨率，能够识别腔体内部细微压力波动，在超低压工况维持良好线性度与重复精度，克服普通传感器在低压端灵敏度不足的短板。

0.02Torr 微量程版本专为精细等离子工艺设计，对腔体残余压力、微量气体泄漏、缓慢压力漂移均可稳定监测。传感膜片经过特殊应力处理，降低温度带来的零点偏移；可选恒温控温结构，抑制环境温度波动对低压测量精度的干扰，长期使用稳定性更强。介质接触面选用耐腐蚀合金材料，耐受等离子体轰击与腐蚀性工艺气体，减少膜片腐蚀损伤，延长传感器使用寿命。

产品输出信号稳定，抗电磁干扰能力优异，实时反馈超低压腔体压力，保障等离子体起弧、预处理、原子层沉积等对低压精度严苛的工艺重复性。主要应用于半导体优良制程、真空表面分析设备、等离子体科研装置、超高真空镀膜等场景。标准化电气接口与真空法兰，便于集成至真空腔体，适配新设备配套以及实验室存量真空系统改造。每台传感器出厂完成多点低压标定，在 0.02Torr 全量程区间校验精度，保证交付时测量可靠性。

在优良制程持续迭代的背景下，越来越多工艺对超低压测控提出更高要求。MKS Baratron 0.02Torr 微量程压力传感器，凭借超高灵敏度薄膜传感技术，精准捕获极微弱压力信号，稳定实现超低压监测，减少压力控制偏差，降低工艺报废风险，是超低压精密真空测控的核心传感解决方案。