【简介】MKS美国-压力传感器-绝对压力测量型
采用电容薄膜原理，直接测量绝对压力，不受环境大气压波动影响。测量稳定精准，适配半导体真空腔体、等离子工艺的压力闭环监测

MKS美国-压力传感器-绝对压力测量型

MKS美国-压力传感器-绝对压力测量型

半导体等离子刻蚀、薄膜沉积、ALD 等精密工艺对腔体压力的基准稳定性要求严苛。普通表压传感器以现场大气压作为参考基准，受环境气压昼夜波动、海拔变化影响，会产生测量偏差，造成工艺参数不稳定、良率波动。MKS Baratron 绝对压力型电容薄膜传感器，内置密封真空参考腔，以真实零真空为基准直接测量绝对压力，规避大气压变动带来的测量干扰。

传感器采用经典电容薄膜传感原理，感应膜片一侧接触工艺腔体介质，另一侧为密封的高真空参考腔。腔体压力变化驱动金属薄膜发生形变，膜片与固定电极之间的电容值随之改变，内置信号调理电路将电容变化转化为标准压力输出，直接读取绝对压力数值，无需额外大气压补偿计算，简化设备控制逻辑。

密封真空参考腔经过特殊封装工艺，长期使用不易发生漏气，保障基准稳定。该系列可选恒温加热版本，抑制工艺副产物冷凝沉积，降低零点漂移；介质接触面选用耐蚀合金材质，可抵御卤素气体、等离子体粒子轰击，适配各类腐蚀性工艺气体。在宽量程区间内保持良好线性度与测量重复性，从超低压微量程到数千 PSIA 高压规格均可选型。

传感器输出信号稳定，抗电磁干扰能力强，能够实时捕捉腔体压力细微变化，保障等离子体起辉、薄膜生长等工序工艺一致性。广泛用于半导体干法刻蚀、PVD、CVD、原子层沉积、真空热处理、科研超高真空装置等场景。标准化真空法兰与电气接口，方便配套新设备集成与存量产线改造。出厂前在真空基准环境下完成多点标定，保证全量程测量精度。

在优良制程持续升级的当下，工艺对压力控制精度与重复性要求不断提高。MKS Baratron 绝对压力传感器依托内置真空参考腔，摆脱环境大气压干扰，直接输出精准绝对压力读数，减少工艺变量，降低产品报废风险，为半导体与真空装备提供稳定可靠的绝对压力测控方案。