【简介】MKS美国-压力传感器-Micro-Ion电离真空
采用微型电离规原理，用于超高真空测量。微型结构，检出限低，精准监测半导体腔体高真空，适配镀膜、刻蚀设备真空测控

MKS美国-压力传感器-Micro-Ion电离真空

MKS美国-压力传感器-Micro-Ion电离真空

半导体优良制程、真空镀膜与表面分析设备需要监测超高真空环境，普通皮拉尼计在高真空区间灵敏度不足，无法捕捉极低压力信号。MKS Micro-Ion 微型电离真空传感器，依托微型电离规传感原理，专为高真空至超高真空区间压力检测开发，实现极低压力下精准测量，广泛用于刻蚀、沉积腔体的高真空测控。

传感器基于电离真空规工作原理：发射电子撞击腔体内残余气体分子，使气体电离产生离子，离子收集极捕获离子形成微弱电流。离子电流大小与气体压力呈对应关系，电路采集离子信号换算真空压力数值。MKS 采用微加工工艺打造微型电离单元，相比传统大尺寸电离规，大幅缩小传感探头体积，适配设备狭小安装空间。

Micro-Ion 具备极低压力检出限，可稳定监测超高真空区间，满足腔体本底真空检测需求，判断腔体除气效果与残余气体水平，是 ALD、PVD、离子刻蚀等工艺的真空监测元件。微型电极结构优化了电子发射效率，降低功耗，同时减少灯丝损耗；选用抗腐蚀电极材料，耐受轻度工艺副产物，延长使用寿命。

传感器响应迅速，可实时追踪真空度变化，输出稳定模拟或数字信号，便于接入设备 PLC 控制系统。标准化真空法兰接口，方便集成在新设备腔体，也可用于老旧超高真空装置改造。出厂在基准真空环境下完成多点标定，保障高真空段测量重复性。电离类传感器读数与气体组分相关，不同气体电离效率存在差异，工艺介质变更时需进行气体因子补偿。

在优良半导体工艺中，腔体本底真空度直接影响薄膜纯度与等离子体工艺稳定性，微量残余气体就会造成晶圆缺陷。MKS Micro-Ion 微型电离真空传感器凭借微型电离传感技术，实现超高真空精密检测，能够可靠评估腔体本底真空状态，提前识别泄漏与除气异常，减少工艺不良，为超高真空精密装备提供高性能真空监测方案。