【简介】MKS美国-压力传感器-电容膜片测压
张拉式 Inconel 合金膜片受压产生微形变，转化为电容信号。测量与气体种类无关，迟滞低、重复性好，适配半导体腐蚀性真空工艺。

MKS美国-压力传感器-电容膜片测压

MKS美国-压力传感器-电容膜片测压

MKS 压力传感器依托经典电容膜片测压原理，也是 Baratron 巴特拉芯体的核心检测机制，凭借张拉式合金膜片结构，实现绝对压力测量，读数不受气体种类影响，长期作为半导体精密真空工艺的主流压力检测方案。

传感器内部由高纯度 Inconel 镍基合金膜片分隔为两个腔室，一侧为被测工艺腔体，另一侧是出厂预抽并密封的高真空参考腔，作为稳定的绝对压力基准。当工艺侧压力发生变化，膜片两侧形成压差，张拉固定的合金膜片会产生微米级形变。膜片与内部固定电极组成可变电容器，膜片形变改变极板间隙，直接引起电容值变化。专用信号调理电路实时采集电容信号，经过放大、滤波与标定曲线运算，转化为标准线性压力输出。

不同于皮拉尼热传感依靠气体热传导检测，电容膜片测压属于力学式压力测量，只响应压差带来的膜片形变，与气体分子量、混合组分无关。在卤素等离子体、多组分工艺气体环境下，依然可以保持稳定准确读数，消除不同气体带来的固有测量偏差。膜片采用径向张拉工艺，有效降低弹性迟滞，提升测量重复性与分辨率，微小压力波动均可被捕捉。

膜片与腔体采用全焊接密封结构，浸润面为耐蚀 Inconel 合金，可抵抗等离子体、腐蚀性工艺副产物侵蚀，减少膜片腐蚀、沉积物附着引发的零点漂移。部分型号集成恒温控制模块，稳定芯体工作温度，抑制温度应力造成的膜片形变，进一步降低温漂，延长校准周期。

出厂阶段完成多点标定，内置非线性补偿算法，优化全量程测量精度。传感信号可输出模拟电压信号，方便接入 PLC、压力控制器、上位监控系统，实时完成工艺压力监测与联锁控制。

在半导体刻蚀、薄膜沉积、离子注入等精密制程中，工艺压力直接决定等离子体状态与产品良率。MKS 电容膜片测压技术依托力学测量、耐腐材质、低迟滞特性，提供高稳定、可溯源的压力数据，为真空工艺闭环控制提供可靠的底层测量支撑。