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MKS美国-压力传感器-气体无关测量

【简介】MKS美国-压力传感器-气体无关测量
依托 Baratron 电容膜片力学测压原理,读数不受气体组分、分子量影响。混合及腐蚀性工艺气体下测量稳定,适配半导体等离子真空制程。

产品型号:750D12PFF2GA
更新时间:2026-10-17
厂商性质:经销商
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产品介绍

MKS美国-压力传感器-气体无关测量

MKS美国-压力传感器-气体无关测量

MKS Baratron 巴特拉压力传感器核心优势就是气体无关测量,依托电容膜片力学测压原理,区别于皮拉尼等热传导式真空计,测量值仅由压力带来的膜片形变决定,不受被测气体分子量、气体组分变化影响,是半导体精密真空工艺的核心优势技术。

常规热传感真空计依靠气体热传导效应采集压力信号,不同气体导热能力差异巨大。在工艺切换氩气、氮气、卤素腐蚀气体或是多种气体混合工况下,读数会产生明显偏差,每次更换工艺气体都需要重新修正补偿参数,增加调试难度与工艺波动风险。而 MKS 巴特拉传感器采用张拉 Inconel 合金膜片结构,膜片将腔体分隔为工艺侧与预抽高真空参考腔,压力产生的压差驱动膜片发生微形变,改变膜片与电极之间电容间隙,传感器直接采集形变对应的电容信号,本质属于力学测量,与气体本身物理属性无关。

在半导体刻蚀、CVD 薄膜沉积等制程中,腔体内部会频繁切换多种等离子工艺气体,还会产生聚合物、卤化物等副产物。气体无关特性让传感器在气体组分切换时,压力读数保持连续稳定,无需随气体种类变更修改补偿参数,减少工艺调试步骤,保障等离子体状态稳定,降低薄膜厚度、刻蚀速率波动带来的良率损失。

传感器浸润面采用全焊接镍基合金,耐受腐蚀性等离子介质,搭配多点标定补偿曲线,保证全量程测量精度。部分型号搭载恒温模块,降低温度应力带来的膜片形变,进一步稳定基准零点。输出信号可直接接入压力控制器、PLC,实现压力闭环控制。

气体无关测量带来的数据一致性,也满足半导体行业工艺数据可追溯要求。无论是单一高纯气体,还是复杂混合腐蚀性工艺气体环境,传感器均可输出真实准确的绝对压力数值。这项特性让 MKS 巴特拉传感器成为半导体、光学镀膜、真空冻干等精密装备的优选压力测量组件,为真空工艺提供稳定、可靠、不受介质干扰的压力测控基础。


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