【简介】MKS美国-压力传感器-超宽压力量程
依托 Baratron 电容膜片传感结构，单台覆盖多数量级压力区间。测量气体无关，低压段仍维持高精度，适配半导体真空各类工艺段监测。

MKS美国-压力传感器-超宽压力量程

MKS美国-压力传感器-超宽压力量程

MKS Baratron 巴特拉压力传感器具备超宽压力量程能力，依托张拉式 Inconel 合金电容膜片芯体，单台传感器可覆盖多个数量级的压力范围，一台仪表即可完成真空系统多阶段压力监测，替代传统多支真空规组合方案，简化真空设备管路布局，降低硬件采购与安装成本，广泛应用于半导体各类真空制程。

传统真空压力测量方案受限于传感原理，单只仪表量程跨度有限。皮拉尼规虽可测量低压，但读数受气体组分影响；普通电容规量程窄，高低压测量往往需要多只不同规格真空计搭配采集。MKS 巴特拉传感器依靠高性能张拉膜片结构，优化膜片力学响应特性，在宽压力区间内均可捕捉膜片微形变，结合读数式精度标定算法，实现大范围压力精准采集，无需多传感器串联布置。

该传感器基于力学电容测压原理，拥有气体无关测量特性，在宽量程范围内，压力读数不受气体分子量、混合工艺气体影响。在半导体腔体抽真空、工艺维持、泄压全流程中，从高真空到中高压区间均可连续采集压力数据，完整记录腔体压力变化曲线，方便工程师监控工艺全过程。出厂多点标定与数字化非线性补偿，保障在量程内的高低压力段都维持稳定测量精度，尤其低压段依然保持优异准确度，不会出现精度快速衰减的问题。

部分型号搭载恒温控制模块，稳定传感芯体工作温度，抑制温漂，减少长期运行零点偏移，延长仪表校准周期。传感器浸润面采用全焊接 Inconel 镍基合金，耐卤素等离子体与工艺副产物腐蚀，在半导体刻蚀、CVD 沉积等腐蚀性工况下稳定工作。传感器输出标准模拟信号，可接入压力控制器、PLC 及上位机系统，实现压力实时监控与工艺联锁保护。

在半导体锁气室、薄膜沉积、离子注入等场景，真空腔体需要经历抽气、工艺、泄压完整压力变化流程。MKS 巴特拉传感器凭借超宽量程、气体无关、全区间高精度的综合优势，以单台仪表完成全流程压力监测，减少测点硬件数量，简化系统集成，为精密真空工艺提供连续完整的压力测量数据支撑。