【简介】MKS美国-压力传感器-全焊接密封体
无有机密封圈，浸润面为 Inconel 合金。漏率低、放气少，耐腐蚀，保护参考腔真空基准，保障半导体真空工艺长期测量稳定与安全性。

MKS美国-压力传感器-全焊接密封体

MKS美国-压力传感器-全焊接密封体

MKS Baratron 巴特拉压力传感器采用全焊接金属密封体，摒弃橡胶、PTFE 等有机密封垫圈，浸润面为 Inconel 镍基合金一体化焊接结构，实现极低漏率与低放气特性，保护内部参考腔基准真空，是半导体高洁净、腐蚀性真空工艺的关键结构设计。

普通传感器常采用密封圈密封，有机材质在等离子、高温环境下易老化、释放气体，造成腔体污染，还会缓慢渗漏，破坏传感芯体内部预封的高真空参考腔，引发零点漂移。MKS 全焊接结构依靠金属熔接成型，无有机密封件，不存在高分子材料放气问题，满足半导体对真空洁净度的严苛要求。焊缝致密，整体漏率极低，长期使用不会出现介质渗漏，稳固守护参考腔的基准真空，保障绝对压力零点长期稳定。

浸润面全部为 Inconel 镍基合金，焊接后无钎焊缝隙，卤素等离子体、工艺副产物难以侵蚀焊缝位置，避免局部腐蚀泄漏。膜片与腔体一体化焊接，装配应力控制精准，不破坏张拉膜片本身力学特性，持续维持低迟滞、高重复性的测量性能。部分恒温型号，金属密封体导热均匀，便于温控系统稳定芯体温度，降低温度应力带来的测量偏差。

全焊接密封体搭配内置吸气剂，双重维持参考腔真空基准，降低长期零点漂移风险。芯体自带膜片限位保护，可抵御瞬时过压冲击，金属腔体结构强度高，抗介质压力冲击能力强。传感器配套低噪声信号调理电路，输出标准 0–10V 模拟信号，接入压力控制器与 PLC，完成工艺压力监控与联锁保护。

在半导体刻蚀、CVD 薄膜沉积制程中，腔体对杂质、漏气极为敏感，微量放气或泄漏都会污染等离子环境，造成膜层缺陷、刻蚀异常。MKS 全焊接密封体消除有机密封件带来的放气、老化泄漏隐患，兼顾高密封性、耐腐蚀性与洁净特性，长期保护传感基准真空，稳定压力测量精度。广泛用于半导体、光学镀膜、科研真空等高洁净、腐蚀性真空测控场景，保障工艺洁净度与计量长期稳定性。