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MKS美国-电容压力计-绝对真空基准测量

【简介】MKS美国-电容压力计-绝对真空基准测量
内置真空参考腔,直接测得绝对压力。电容膜片传感,不受气体种类干扰,适配半导体真空工艺高精度压力监测。

产品型号:AA01A01TGAS3B00000
更新时间:2026-09-28
厂商性质:经销商
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产品介绍

MKS美国-电容压力计-绝对真空基准测量

MKS美国-电容压力计-绝对真空基准测量

MKS 美国电容压力计采用内置真空参考腔,以绝对真空作为基准实现绝对压力测量,区别于表压传感器,读数不受环境大气压波动影响,广泛用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、精密检漏等真空工艺,实时提供稳定、精准的绝对压力数据,保障真空制程一致性。

传感器核心结构包含精密金属隔离膜片与密封的高真空参考腔,参考腔预先抽至高真空并密封。当工艺侧压力发生变化时,膜片两侧产生压差,压力侧气体推动膜片发生微小形变,膜片与固定电极之间的电容随之改变。电路采集电容变化并换算为压力值,所有测量均以参考腔内的绝对真空作为零点基准,无需补偿大气压变化,直接输出真实绝对压力。

该传感方案同时具备气体无关特性,仅感知压力带来的力学形变,测量结果不受气体分子量、气体组分变化影响,在工艺气体切换、混合气体环境下无需额外修正。膜片经过特殊热处理,形变线性度佳、迟滞小,长期连续工作零点漂移低,适合长时间不间断的半导体真空制程。全金属密封传感腔体,耐洁净工艺气体,可抵御部分轻度腐蚀介质,降低污染带来的性能衰减。

产品拥有多量程系列可选,覆盖粗真空至高真空区间,支持标准工业模拟信号输出,可直接对接真空控制器、PLC 与数据采集系统,集成简单。出厂完成多点校准,保证全量程测量精度与重复性。使用过程中需要避免粉尘、颗粒沉积附着于膜片表面,颗粒物会改变膜片力学特性,造成测量偏差。

该仪器用于真空工艺压力监测与闭环控制,不做普通压力粗略检测。以绝对真空为基准的测量方式,消除大气压波动带来的测量误差,保证跨时段、跨批次工艺压力数据可对比。凭借内置真空参考腔、绝对压力基准、气体无关测量、高稳定电容膜片传感,MKS 电容压力计是半导体、真空设备、精密气体工艺领域真空压力监测与制程控制的核心精密仪器。


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