【简介】MKS美国-电容压力计-高精密电容传感原理
压力驱动金属膜片形变，改变极板间电容。测量稳定、线性度好，气体无关，用于半导体真空工艺高精度压力检测。

MKS美国-电容压力计-高精密电容传感原理

MKS美国-电容压力计-高精密电容传感原理

MKS 美国电容压力计依托高精密电容传感原理，将压力变化转化为电容信号进行检测，具备优异线性度与测量重复性，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、精密检漏等真空工艺，为制程闭环控制提供稳定可靠的压力数据。

传感器核心由固定电极与超薄精密金属膜片构成电容极板，膜片一侧为被测工艺腔体，另一侧为密封的绝对真空参考腔。当被测压力发生变化时，膜片两侧形成压差，促使金属膜片产生微米级微小形变，膜片与固定电极之间的极板间距随之改变，极板间电容值同步发生变化。内置信号调理电路持续采集电容变化量，经过运算转换输出对应的压力读数，实现压力信号的精准采集。

该原理的突出优势为非气体依赖性，传感单元只检测压力带来的膜片力学形变，测量结果不受气体分子量、气体组分变化影响，切换工艺气体时无需额外修正补偿。精密加工的金属膜片经过时效热处理，弹性特性稳定，形变曲线线性度高、迟滞误差小，长期连续运行零点漂移低，能够满足半导体工艺长时间不间断监测需求。传感腔体采用全金属密封结构，可耐受洁净工艺气体，适配部分轻度腐蚀性介质，降低介质污染对传感单元的损伤。

产品覆盖多档真空量程，从粗真空至高真空均有对应型号，支持标准工业模拟信号输出，可直接接入真空控制器、PLC 与数据采集模块，现场集成便捷。出厂执行多点标定，保障全量程测量精度。使用时需规避颗粒、粉尘附着在膜片表面，异物会改变膜片力学性能，造成测量偏差。

该仪器定位为真空工艺精密压力监测，不用于简易压力粗测。高精密电容传感原理兼顾灵敏度与长期稳定性，是真空制程压力管控的核心技术基础。凭借精密电容极板结构、稳定膜片形变特性、气体无关测量、全金属密封腔体，MKS 电容压力计成为半导体、真空设备、精密气体工艺中压力监测与工艺控制的优选精密仪器。