【简介】MKS美国-电容压力计-超高测量分辨率
依托精密电容传感与张拉膜片，捕捉微小压力变化。测量稳定、气体无关，适配半导体真空工艺微小压力精密监测。

MKS美国-电容压力计-超高测量分辨率

MKS美国-电容压力计-超高测量分辨率

MKS 美国电容压力计拥有超高测量分辨率，可捕捉真空腔体内极其微弱的压力变化，依托精密电容传感与径向张拉镍合金膜片，实现微小压力信号精准采集，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、等离子工艺、真空检漏等制程，为工艺闭环调控提供高精度压力数据支撑。

真空工艺中，微小压力波动会直接影响薄膜均匀度与刻蚀效果，普通压力传感器难以识别微弱压力变化。MKS 电容压力计采用超薄径向预张拉镍合金膜片，膜片可产生微米级微量形变，搭配高灵敏度电容检测电路，能够分辨极小幅值的压力改变。膜片形变线性度高、迟滞小，微弱压差产生的电容变化可被电路精准采集，转化为稳定的压力输出信号，实现超高分辨率检测。

该传感方案具备气体无关特性，仅检测压力带来的力学形变，测量结果不受气体分子量、组分变化影响，切换工艺气体无需额外补偿。传感器采用镍合金全焊接结构，无橡胶密封垫圈，放气率低，耐工艺介质腐蚀；内置吸气剂持续维护参考腔高真空基准，抑制零点漂移，保障长时间连续工况下分辨率与测量精度不衰减。全金属密封腔体可抵御洁净工艺气体与轻度腐蚀介质，降低污染对传感单元的损伤。

产品提供多档真空量程，覆盖粗真空至高真空，支持标准工业模拟信号输出，可直接接入真空控制器、PLC 和数据采集系统，系统集成简单。出厂完成多点校准，全量程范围内保证测量精度与重复性。使用时需规避颗粒、粉尘附着在膜片表面，异物会改变膜片力学性能，削弱分辨率，带来测量偏差。

该仪器用于真空工艺精密压力监测与闭环控制，不用于普通压力粗略检测。超高分辨率特性让设备可以实时捕捉工艺腔体内细微压力扰动，助力工艺参数稳定管控，保障产品批次一致性。凭借高灵敏电容传感、低迟滞张拉膜片、气体无关测量、镍合金全焊接低放气腔体，MKS 电容压力计是半导体、真空设备、精密气体工艺领域微小压力监测与制程控制的核心精密仪器。