【简介】MKS美国-电容压力计-控温减少工艺产物沉积
维持腔体温度高于介质露点，降低膜片污染物附着，镍合金耐腐蚀腔体，气体无关电容传感，适配半导体真空制程。

MKS美国-电容压力计-控温减少工艺产物沉积

MKS美国-电容压力计-控温减少工艺产物沉积

MKS 美国电容压力计搭载温控模块，通过维持传感腔体温度高于介质露点，有效抑制工艺副产物、有机颗粒、可凝性气体在膜片与腔体内壁沉积，降低污染物附着带来的测量漂移，适配半导体薄膜沉积、等离子刻蚀、前驱体输送等易产生沉积物的真空工艺，保障压力监测长期稳定。

半导体真空制程中，大量工艺反应会生成挥发性有机副产物、颗粒物与可凝介质。当传感器温度偏低时，这类物质极易在低温的膜片与腔壁凝结附着，形成一层固态或粘稠沉积物。沉积物会改变膜片力学特性，造成零点漂移、测量精度下降，严重时会阻碍膜片形变，直接导致传感器失效。沉积物剥落还会形成颗粒污染工艺腔体，降低晶圆良率，增加设备拆解清洗、停机更换的成本。

MKS 采用一体化温控加热设计，可对传感器接液腔体进行恒温控制，让腔体温度始终高于工艺介质露点，避免可凝组分冷凝析出，从源头减少工艺产物附着。接液主体采用高性能镍合金，搭配全焊接一体化腔体，无橡胶、塑料等易老化非金属密封件，既耐高温，又具备耐卤素、臭氧、水汽腐蚀能力，适配复杂腐蚀性工艺环境。

核心传感元件为径向张拉镍合金膜片，经过预张拉时效处理，弹性稳定、迟滞低，压力反复循环下保持优异测量重复性。电容式传感原理具备气体无关特性，仅响应压差带来的膜片力学形变，测量结果不受气体组分、分子量影响，在持续恒温工况下依旧保持快速响应与高精度输出。内置吸气剂持续锁定参考腔真空基准，抑制长期零点漂移；出厂全量程多点标定，保证测量精度可溯源。

产品覆盖多档真空量程，支持标准工业信号输出，可无缝对接真空控制器与 PLC 自动化系统。温控温度可根据工艺介质特性灵活设定，合理控温能够显著拉长传感器维护周期，减少清洗频次。

控温抑沉积设计，大幅降低污染物对传感元件的干扰，减少工艺颗粒污染风险。凭借恒温控温模块、耐腐蚀镍合金接液腔体、全焊接无垫片结构、气体无关电容传感，MKS 电容压力计是半导体易沉积类真空工艺压力监测的核心精密仪器。