【简介】MKS美国-电容压力计-高精度测压
具备优异重复性与线性度，测量不受气体种类干扰，分辨率高，支持真空微小压力捕捉，用于半导体精密工艺压力闭环控制

MKS美国-电容压力计-高精度测压

MKS美国-电容压力计-高精度测压

MKS Baratron 电容压力计以高精度测压能力为核心优势，依托电容膜片传感架构，具备优秀的线性度、重复性与分辨率，能够捕捉真空环境下极其微小的压力变化，且测量结果不受气体组分干扰，是半导体与真空工艺的压力基准测量设备。

该压力计的高精度来源于精密制造的膜片与参考腔结构。膜片采用镍基合金全焊接工艺，厚度控制精准，微小压力即可产生可控弹性形变，通过电容间隙变化完成压力信号采集。内置高真空密封参考腔，作为绝对压力测量基准，消除大气压波动带来的测量误差。传感器出厂逐立标定，校准溯源标准严苛，保障测量精度稳定，低压量程下依然保持出色分辨能力。

和热传导真空规相比，MKS 电容压力计不会因为气体分子量不同而产生读数偏差。在工艺气体切换、混合气体工况下，无需进行气体修正，简化现场调试工作。产品迟滞误差小，压力升降过程中读数一致性好，可稳定捕捉腔体内瞬态压力波动，满足精密制程对于压力动态监测的需求。部分型号搭载恒温模块，抑制环境温度变化引发的膜片形变与电容漂移，进一步巩固长期测量精度。

在半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜等工艺中，腔室压力的细微偏差会直接影响化学反应速率、薄膜均匀度，造成成品良率下降。高精度测压能力支持上位机与 PLC 搭建压力闭环控制，实时调节进气与抽气阀门，维持工艺腔体压力恒定。传感器具备一定抗过压能力，短时压力冲击不易造成膜片变形，降低工艺异常导致传感器报废的风险。

产品提供标准模拟信号与数字通讯输出，信号线性优良，便于集成至各类工控平台。广泛用于半导体工艺、科研真空系统、真空热处理、冻干设备等场景。依托 MKS 电容压力计高精度测压特性，工艺人员可精准监控真空腔体压力，稳定制程参数，减少批次波动，提升产品良率，为各类真空精密工艺提供稳定可靠的压力测量保障。