【简介】MKS美国-电容压力计-真空可测量
内置密封高真空参考腔，直接测量绝对真空压力，读数不受气体种类影响，适配半导体、镀膜等真空制程监测。

MKS美国-电容压力计-真空可测量

MKS美国-电容压力计-真空可测量

MKS Baratron 电容压力计是面向真空工况设计的绝对压力测量仪表，传感器内部集成密封高真空参考腔，以内部真空作为压力基准，直接完成绝对真空压力测量。区别于表压测量方案，无需持续补偿大气压波动，测量结果不受气体组分影响，为半导体、真空镀膜等精密真空制程提供稳定、准确的真空监测数据。

传感核心采用镍基合金全焊接膜片结构，参考腔被密封抽成高真空状态。当被测真空腔压力发生变化时，膜片两侧形成压差，产生微小弹性形变，改变电容间隙，电路将电容变化转化为线性压力信号输出。依靠内置真空基准，仪表开机即可读取绝对压力值，无需每次现场校准零点，简化真空系统调试流程。

很多传统真空测量器件存在明显短板：热传导真空规读数会随气体分子量变化，在混合工艺气体下必须人工修正；部分表压传感器容易受环境气压波动干扰，低压真空段误差显著。MKS 电容压力计不受这类因素制约，无论氮气、氩气、氧气，或是部分腐蚀性工艺气体，相同真空压力下输出信号保持稳定，非常适合工艺气体频繁切换的产线。

在真空工艺中，真空度的微小波动直接影响薄膜均匀性、刻蚀速率和产品良率。该压力计可精准捕捉高真空至中真空区间微弱压力变化，支持接入 PLC 与工控系统实现真空闭环调节。部分型号配备恒温控温单元，抵消环境温度带来的膜片形变与电容漂移，进一步提升低压真空区间测量稳定性。传感器自带过压防护，可抵御工艺意外升压冲击，降低膜片变形风险。

产品接口标准化，安装便捷，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、材料热处理、实验室真空平台、医药冻干等真空场景。依托 MKS 电容压力计真空测量能力，工程师可实时监控腔体绝对真空度，稳定工艺参数，减少批次间波动。凭借内置真空基准、气体不敏感的特性，成为真空系统中绝对压力监测的核心仪表，保障精密真空工艺稳定运行。