【简介】MKS美国-真空压力传感器-不受气体影响
Baratron 电容薄膜原理，测量不受气体种类影响。无需气体修正，精准读取绝对压力，适配多工艺气体半导体真空监测场景。

MKS美国-真空压力传感器-不受气体影响

MKS美国-真空压力传感器-不受气体影响

MKS 美国真空压力传感器，采用经典 Baratron 电容薄膜测量原理，直接测量压力作用在薄膜上的力学载荷，测量结果不受气体组分、分子量影响，无需气体系数修正，解决传统热传导真空计需要气体补偿的痛点，适用于多工艺气体轮换的半导体真空制程。

普通皮拉尼等热传导型真空计，测量原理依赖气体导热特性，当工艺气体切换，如氩气、氮气、氢气交替使用时，读数会出现明显偏差，必须根据气体种类修正参数，增加工艺调试难度。一旦气体组分发生波动，压力测量失真，会直接造成镀膜、刻蚀工艺漂移，影响晶圆良率。MKS 这款传感器测量本质为力与面积的物理检测，薄膜受压形变改变电容值，输出信号仅由压力大小决定，无论工艺更换哪种气体，均可直接读取真实绝对压力，省去复杂的气体校正步骤。

产品传感膜片采用 Inconel 合金全焊接结构，抗腐蚀、抗蠕变，迟滞小，重复性高。可选内置恒温加热版本，防止可凝性工艺气体冷凝附着薄膜，避免污染物沉积带来测量漂移。传感器输出标准 0-10VDC 模拟信号，线性度优异，便于接入工控系统与压力控制器，实现真空回路闭环控制。配套密封材料可选多种耐化学配方，适配各类腐蚀性工艺气体，覆盖宽压力、温度区间。产品经过介质切换测试、压力循环及长期老化测试，在频繁更换工艺气体工况下，传感单元与输出性能保持稳定。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成压力报警触点，超限自动预警，保障工艺安全。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积镀膜、真空热处理炉、精密真空测试台、等离子工艺腔体、实验室多气体真空实验平台等场景。在半导体工艺腔体中，切换不同工艺气体时无需重新校准，压力读数保持准确；在多气体轮换测试平台，简化调试流程，降低工艺参数波动风险。

MKS 美国真空压力传感器，融合气体无关式压力测量、Inconel 合金耐腐蚀传感腔体、高精度稳定输出特性，消除气体种类带来的测量误差，省去气体修正工序，满足半导体、薄膜制造行业多气体工况下真空压力高精度监测的严苛工况需求。