【简介】MKS美国-真空压力传感器-漂移量极低
采用 Baratron 电容薄膜技术，漂移量极低，长期运行零点稳定，可选恒温结构减少污染物沉积，长时间监测误差小，适配半导体精密真空工艺。

MKS美国-真空压力传感器-漂移量极低

MKS美国-真空压力传感器-漂移量极低

美国 MKS 真空压力传感器采用经典 Baratron 电容薄膜传感技术，核心优势为漂移量极低，长期连续工作下零点稳定，温漂与时漂控制优异，可选恒温模块减少污染物沉积，长时间监测误差小，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、等离子工艺等精密真空制程。

传感器核心 Inconel 镍基合金膜片经过精密张拉处理，材料抗蠕变性能优异，长期压力循环下不易产生塑性形变，从源头抑制随时间产生的零点漂移。部分型号搭载内置恒温加热组件，将传感腔体维持在设定温度，避免油气、聚合物等可凝性工艺副产物附着在膜片表面，杜绝沉积物改变膜片力学特性而引发的测量偏移。腔体采用全焊接一体化金属结构，无有机粘接材料，内部参考真空腔密封可靠，基准真空长期保持稳定，进一步降低零点缓慢漂移。

普通真空传感器在长期连续运行中，容易受温度波动、污染物沉积、材料蠕变等因素影响，零点缓慢偏移，测量误差持续变大，需要定期停机校准，中断产线生产。MKS 传感器对时漂和温漂进行严格管控，大幅拉长校准周期，减少频繁校准带来的停机损失，保障长时间不间断监测的准确性。

该传感器为力学式压力测量，具备气体无依赖特性，测量结果不受气体组分影响，无需气体系数修正。镍基合金膜片强度高，迟滞小、重复性好，输出线性优异，分辨率高，具备抗振动、耐介质腐蚀、抗过压冲击等特点。全焊接结构真空密封性佳，全金属湿面低释气，洁净度良好。产品支持标准模拟信号输出，拥有 KF、CF 多种标准真空法兰，量程规格丰富，安装适配便捷。

半导体精密制造工艺生产周期长，对真空压力长期稳定性要求严苛，微小漂移都会造成薄膜不均匀、刻蚀形貌异常，降低产品良率。MKS 真空压力传感器凭借极低漂移特性，长时间稳定输出精准压力信号，保障真空 PID 闭环控制持续稳定。依托 Baratron 成熟传感技术、抗蠕变合金膜片、恒温可选设计与一体化全焊接结构，该传感器成为需要长期稳定监测的精密真空系统优选器件。