【简介】MKS美国-真空压力传感器-绝压测量准
采用 Baratron 电容薄膜技术，绝压测量精准，内置高真空参考腔，不受环境气压波动干扰，适合半导体真空工艺绝对压力监测。

MKS美国-真空压力传感器-绝压测量准

MKS美国-真空压力传感器-绝压测量准

美国 MKS 真空压力传感器采用经典 Baratron 电容薄膜传感技术，突出优势为绝压测量精准，内置密闭高真空参考腔，测量不受外界环境大气压波动干扰，可稳定获取真实绝对压力值，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、等离子工艺与科研高真空测试等精密绝压监测场景。

传感器内部设有独立密封参考腔，出厂时抽至高真空并密封保存，以此作为恒定压力基准。测量时，工艺侧压力与参考腔基准压力形成压差，推动 Inconel 镍基合金膜片产生微小形变，转化为对应的电容信号。该测量原理无需依赖外部大气作为参照，不受车间气压变化、天气波动影响，即使环境大气压发生改变，传感器依旧可以输出准确的绝对压力读数。参考腔依靠全焊接结构维持超高真空，基准真空长期稳定，减少基准漂移带来的测量偏差。

普通表压型真空传感器以外界大气压作为参考，当环境气压随天气、楼层变化时，读数会产生附加误差，无法满足半导体工艺对绝对压力的高精度管控需求。MKS 这款绝压传感器自带内部真空基准，规避环境气压扰动，保证工艺压力监测真实可靠，保障薄膜沉积、刻蚀反应过程稳定可控。

该传感器属于力学式压力测量，具备气体无依赖特性，测量结果不受气体组分影响，无需气体系数修正。镍基合金膜片强度高，抗蠕变抗疲劳，迟滞小、重复性好，输出线性优异，分辨率高，耐受短时过压冲击与设备振动。全焊接一体化腔体真空密封性佳，全金属湿面耐介质腐蚀，低释气洁净度高；部分型号可选恒温模块，抑制可凝副产物沉积，进一步稳定测量基准。产品支持标准模拟信号输出，配备 KF、CF 标准化真空法兰，量程规格丰富，安装适配性强。

半导体工艺反应依赖精确的绝对真空压力，环境气压变化会直接干扰工艺结果。MKS 真空压力传感器凭借精准绝压测量能力，不受外部大气压波动影响，持续输出可靠压力信号，保障真空闭环控制稳定，提升产品良率。依托 Baratron 成熟传感技术、内置高真空参考腔以及全焊接金属结构，该传感器是需要绝对压力监测的真空工艺优选器件。