【简介】MKS美国-真空压力传感器-抗污染能力强
采用 Baratron 电容薄膜技术，抗污染能力强，可选恒温加热抑制副产物沉积，全金属湿面不易挂污，适用于含杂质的半导体真空工艺监测

MKS美国-真空压力传感器-抗污染能力强

MKS美国-真空压力传感器-抗污染能力强

美国 MKS 真空压力传感器采用经典 Baratron 电容薄膜传感技术，抗污染能力强，可选恒温加热模块抑制工艺副产物沉积，搭配全金属湿面设计，不易附着污染物，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、等离子工艺、真空镀膜等易产生工艺沉积物的真空场景。

传感器湿面采用 Inconel 镍基合金，表面特性稳定，相比普通不锈钢更不容易粘附聚合物、粉尘等工艺副产物。部分型号搭载恒温加热组件，将传感腔维持在设定温度，避免可凝性油气、有机副产物冷凝堆积在膜片表面，从源头减少污染物附着。传感器采用全焊接一体化结构，无有机粘接缝隙，不存在污染物藏匿的死角，降低杂质堆积造成零点漂移的风险。

普通真空传感器无加热防护，工艺中的可凝副产物极易冷凝附着在膜片表面，随着沉积物不断累积，会改变膜片力学特性，造成测量漂移，需要频繁拆机清洗，影响产线连续生产。MKS 传感器依靠恒温控温与金属湿面的组合设计，大幅减缓污染物沉积，延长传感器维护周期，减少停机清洁带来的产能损失。

该传感器属于力学式压力测量，具备气体无依赖特性，测量结果不受气体组分影响，无需气体系数修正。镍基合金膜片强度高，抗蠕变，迟滞小、重复性好，输出线性优异，分辨率高，可承受短时过压冲击，抗振动性能优良。全焊接结构真空密封性佳，湿面耐腐蚀，可耐受卤素等腐蚀性工艺气体。产品支持标准模拟信号输出，配备 KF、CF 标准化真空法兰，安装适配性强，量程规格丰富。

半导体等离子工艺过程中，腔体反应会持续产生聚合物、粉尘等副产物，极易污染传感器膜片。MKS 真空压力传感器凭借优异的抗污染能力，保持膜片清洁，持续稳定采集真空压力信号，保障闭环工艺控制稳定，减少工艺波动，提升产品良率。依托 Baratron 成熟传感技术、恒温加热选项与全金属湿面结构，该传感器是污染物较多真空工艺压力监测的理想选型。