【简介】MKS美国-真空压力传感器-膜片迟滞极低
采用径向张紧 Inconel 膜片，迟滞极低，升降压测量误差小。Baratron 电容薄膜原理，重复性优异，适配半导体真空闭环工艺压力监测。

MKS美国-真空压力传感器-膜片迟滞极低

MKS美国-真空压力传感器-膜片迟滞极低

MKS 美国真空压力传感器，采用 Baratron 电容薄膜技术，配备径向张紧 Inconel 合金膜片，弹性可逆形变优异，升降压循环测量迟滞极低，加载与泄压过程读数偏差小，保障压力往复变化工况下测量的一致性，适用于半导体真空闭环精密工艺监测。

普通传感器膜片在压力反复升降循环时，容易产生残余应力，出现机械迟滞，升压与降压测得压力数值不一致。迟滞误差会直接造成真空闭环控制出现偏差，工艺压力控制超调，导致镀膜、刻蚀等半导体制程工艺不稳定，降低晶圆良率。MKS 这款传感器的径向张紧式 Inconel 合金膜片，经过特殊应力释放处理，材料抗蠕变性能强，压力作用下仅发生纯弹性形变，泄压后膜片可恢复原始形态，几乎不残留残余形变，显著降低迟滞误差。整体全金属焊接结构，无机械摩擦传动结构，从根源消除机械滞后带来的测量偏差。

产品测量原理为电容薄膜式，测量结果不受气体种类影响，无需气体修正。输出标准 0-10VDC 模拟信号，线性度优异，便于接入工控系统与压力控制器实现真空闭环控制。配套密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶耐化学配方，适配各类工艺气体、宽压力与温度区间。产品经过升压降压往复循环、压力耐久老化测试，多次压力交变循环下，膜片形变可逆性稳定，迟滞指标保持稳定。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成压力报警触点，压力异常触发预警，保障工艺安全。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜、等离子工艺系统、真空热处理炉、精密真空动态测试台、实验室压力循环真空实验平台等场景。在压力往复波动的真空制程中，减小升压降压读数偏差，保障闭环压力控制精准；在半导体晶圆连续生产产线，降低迟滞带来的工艺参数漂移，提升批次产品良率。

MKS 美国真空压力传感器，融合径向张紧 Inconel 膜片、低迟滞弹性形变、气体无关测量、全金属焊接腔体等优势，解决普通传感器升降压测量不一致痛点，满足半导体、薄膜制造行业压力交变工况下真空压力高精度监测的严苛工况需求。