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MKS美国-真空压力传感器-兼容多种介质

【简介】MKS美国-真空压力传感器-兼容多种介质
可搭配多样本体与密封材料,兼容各类工艺气体、可凝介质。Baratron 原理测量不受气体影响,耐化学侵蚀,适配半导体多介质真空监测。

产品型号:901P-42030
更新时间:2026-10-19
厂商性质:经销商
访问量:11
产品介绍

MKS美国-真空压力传感器-兼容多种介质

MKS美国-真空压力传感器-兼容多种介质

MKS 美国真空压力传感器,依托 Baratron 电容薄膜技术,通过 Inconel 镍基合金接液腔体搭配多类型密封材料选配方案,兼容各类工艺气体、水汽、卤素腐蚀介质等,适配多介质轮换的半导体真空工艺,解决普通传感器介质适配单一的短板。

普通真空压力传感器材质固定,面对不同工艺介质切换时,容易出现密封件溶胀、基材腐蚀,造成零点漂移、介质泄漏。MKS 这款传感器接液膜片与腔体采用 Inconel 镍基合金,耐蚀性能优异;密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶等耐化学胶料,适配惰性保护气、可凝蒸汽、含卤素等离子气体等多种介质。测量原理为力式压力检测,读数仅取决于压力大小,测量结果不受气体种类影响,更换工艺介质无需重新做气体修正,大幅简化工艺调试。

产品输出标准 0-10VDC 模拟信号,线性度优异,便于接入工控系统和真空压力控制器实现闭环稳压。全金属焊接结构,气密性高,减少介质渗透泄漏。可选加热控温版本,抑制可凝性副产物在膜片表面沉积,降低污染物带来的测量漂移。产品经过多介质浸泡老化、压力循环耐久测试,在轮换介质长期交替接触工况下,传感膜片与电路输出性能保持稳定。可选配多种标准真空接口适配腔体安装;部分型号集成压力报警触点,介质异常工况下触发预警,保护工艺安全。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜、等离子工艺系统、化工真空反应腔、多介质真空测试平台、实验室真空实验装置等场景。在多气体轮换试验平台,通过匹配对应的材质组合,即可切换不同工艺介质监测;在半导体产线多腔体制程,适配不同腔体内工艺气氛,保障压力测量稳定,减少工艺调试成本。

MKS 美国真空压力传感器,融合多材质介质选配方案、气体无关测量、Inconel 耐蚀合金腔体、全金属高气密焊接结构等优势,适配多种工艺介质工况,消除介质腐蚀、密封溶胀故障风险,满足半导体、薄膜制造行业多介质真空环境下压力高精度监测的严苛工况需求。


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