【简介】MKS美国-真空压力传感器-测量绝对压力
Baratron 电容薄膜原理，直接测量绝对压力，读数真实可靠。测量不受气体种类影响，精度高，稳定性佳，适配半导体真空工艺压力监测。

MKS美国-真空压力传感器-测量绝对压力

MKS美国-真空压力传感器-测量绝对压力

MKS 美国真空压力传感器，采用 Baratron 电容薄膜传感技术，内部内置密封高真空参考基准腔，可直接实现绝对压力测量。传感原理依托膜片受力形变转换电容信号，读数直接反映腔体真实绝对压力，不受环境大气压波动干扰，为半导体精密真空工艺提供精准的绝对压力监测方案。

普通相对压力表测量结果会随外界大气压起伏产生读数漂移，在镀膜、刻蚀等精密制程中，大气压力波动会直接带来测量误差，引发工艺参数漂移，降低晶圆良率。MKS 这款传感器内部参考腔预先封入高真空作为恒定基准，测量膜片一侧接触工艺真空，另一侧为密封真空参考腔，直接获取绝对压力值，消除环境气压扰动带来的测量偏差。传感膜片选用 Inconel 镍基合金，抗蠕变、迟滞小，重复性优异，保障长期测量稳定。

产品测量结果不受工艺气体种类影响，无需气体修正。输出标准 0~10VDC 模拟信号，线性度优异，便于接入工控系统、真空压力控制器实现真空闭环稳压调控。腔体采用全金属焊接结构，耐化学腐蚀，配套密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶耐化学配方，适配各类腐蚀性工艺气体。部分型号可选加热控温结构，抑制可凝副产物沉积膜片，降低零点漂移。产品经过多点校准、高低温循环、长期老化耐久测试，持续在线运行时，绝对压力测量稳定可靠。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成继电器报警触点，压力超限触发预警，保障工艺安全。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜设备、等离子工艺系统、真空热处理炉、超高真空测试平台、实验室真空实验装置等场景。在半导体制程腔体，不受外界大气压变化影响，稳定读取腔体内真实绝对压力；在薄膜沉积、刻蚀工艺，消除大气扰动带来的测量偏差，保障工艺批次一致性。

MKS 美国真空压力传感器，融合内置高真空基准腔、Baratron 绝对压力测量、气体无关特性、耐腐蚀 Inconel 合金腔体等优势，解决普通压力计受大气压干扰痛点，持续输出精准绝对压力读数，满足半导体、薄膜制造行业真空工艺高精度绝对压力监测的严苛工况需求。