【简介】MKS美国-真空压力传感器-半导体级工艺
专为半导体级工艺设计，Inconel 合金全金属焊接结构。Baratron 原理气体无关测量，洁净无析出，适配刻蚀、镀膜等高洁净腔体压力监测。

MKS美国-真空压力传感器-半导体级工艺

MKS美国-真空压力传感器-半导体级工艺

MKS 美国真空压力传感器，依托 Baratron 电容薄膜传感技术，专为半导体级精密工艺打造，采用 Inconel 镍基合金全焊接腔体，无有机析出物，满足高洁净腔体使用标准，适配刻蚀、薄膜沉积等离子腔体真空压力监测。

普通工业级传感器含有机密封材料，在等离子、卤素腐蚀气氛下易析出杂质、释放污染物，污染晶圆工艺腔体，造成产品缺陷，降低良率。MKS 这款传感器采用半导体级洁净设计，膜片与壳体采用全金属真空熔焊，摒弃有机承压密封件，大程度减少污染物释放。腔体经过精密洁净处理，降低表面微粒与可凝副产物吸附。测量原理为力式检测，测量结果不受气体种类影响，更换工艺气体无需修正，保障半导体制程压力测量精准稳定。

产品输出标准 0~10VDC 模拟信号，线性度优异，便于接入工控系统与真空压力控制器，实现真空闭环压力调控。配套辅助密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶耐化学配方，耐受各类等离子腐蚀气体。部分加热型产品可抑制可凝物质附着膜片，减少沉积物带来测量漂移。产品经过高纯气体、等离子环境老化、压力循环耐久测试，在半导体苛刻工艺环境下，传感膜片、焊接腔体性能长期稳定。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成继电器报警触点，压力超限触发预警，规避工艺风险。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜设备、等离子工艺系统、晶圆处理设备、材料真空处理平台、半导体研发实验腔体等场景。在晶圆制造腔体，严控析出污染，保障腔体洁净等级；在等离子刻蚀工艺，耐受卤素腐蚀气体，稳定监测真空压力，保障晶圆批次良率稳定。

MKS 美国真空压力传感器，融合半导体级洁净腔体、Inconel 耐蚀合金、气体无关测量、全金属焊接高气密结构，专为半导体制程高洁净、强腐蚀工况开发，满足晶圆制造、薄膜沉积等高要求工艺真空压力高精度监测的严苛工况需求。