【简介】MKS美国-真空压力传感器-抗射频干扰强
具备优异抗射频干扰能力，可抵御等离子射频环境电磁噪声。Baratron 电容薄膜技术，信号稳定，适配半导体等离子腔体压力监测。

MKS美国-真空压力传感器-抗射频干扰强

MKS美国-真空压力传感器-抗射频干扰强

MKS 美国真空压力传感器，依托 Baratron 电容薄膜传感技术，采用屏蔽化电路与抗干扰壳体设计，抗射频干扰能力强，可有效抑制等离子工艺射频电源带来的电磁噪声，在强射频环境下保障压力信号稳定输出，适配半导体等离子腔体压力监测。

等离子刻蚀、镀膜设备工作时射频电源会产生强烈射频电磁场，容易干扰普通传感器的弱电信号电路，造成信号跳变、读数抖动，压力闭环调控出现偏差，引发工艺不稳定，降低晶圆良率。MKS 这款传感器内置屏蔽防护结构，外壳与电路采用专门电磁屏蔽设计，隔绝射频电磁波对内部传感信号回路的干扰。搭配 Inconel 合金膜片与全金属焊接腔体，金属壳体形成天然屏蔽层，进一步削弱射频噪声耦合，保证压力测量信号不受等离子射频场扰动。

产品测量原理为电容薄膜式，测量结果不受气体种类影响，无需气体修正。输出标准 0~10VDC 模拟信号，线性度优良，便于接入工控系统与压力控制器实现真空闭环稳压调控。配套密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶耐化学配方，耐受各类腐蚀性等离子工艺气体。部分型号可选加热温控结构，抑制可凝副产物沉积膜片，降低污染物造成测量漂移。产品经过射频电磁场抗扰度、压力循环耐久测试，在等离子强射频工况，测量读数平稳，无异常跳变。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成继电器报警触点，压力超限触发预警，保障工艺安全。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜、等离子工艺系统、等离子清洗设备、射频真空动态测试台、等离子实验平台等场景。在带有射频源的等离子腔体工艺中，抵御射频电磁干扰，稳定反馈压力数值；在自动化晶圆产线，减少射频噪声带来的信号抖动，保障批次工艺参数稳定。

MKS 美国真空压力传感器，融合射频屏蔽抗干扰结构、Baratron 气体无关测量、Inconel 合金全金属焊接腔体等优势，抵御等离子设备射频电磁噪声，解决强射频环境信号扰动痛点，满足半导体、薄膜制造等离子工况下真空压力高精度监测的严苛工况需求。