【简介】MKS美国-真空压力传感器-低零点漂移量
点漂移量低，长时间运行零点偏移极小。Baratron 张紧 Inconel 膜片，全金属焊接结构，测量稳定，适配半导体长期真空工艺监测。

MKS美国-真空压力传感器-低零点漂移量

MKS美国-真空压力传感器-低零点漂移量

MKS 美国真空压力传感器，依托 Baratron 电容薄膜技术，采用径向预张紧 Inconel 合金膜片搭配温度补偿设计，零点漂移极低，长时间连续运行零点偏移量小，长期测量稳定，减少停机校准频次，适配半导体真空精密工艺监测。

普通真空传感器长期工作后容易出现零点漂移，环境温度起伏、工艺副产物附着都会带来零点偏移，造成压力读数不准，导致刻蚀、镀膜等半导体制程工艺参数漂移，批次良率下降。MKS 这款传感器的径向张紧膜片经过应力释放处理，弹性可逆形变优异，残余应力极小，降低压力循环带来的零点偏移。加热型版本配备恒温腔体，将传感单元维持恒定温度，隔绝环境温度波动，同时减少工艺可凝副产物沉积附着膜片，从源头降低零点漂移诱因。腔体采用 Inconel 合金全金属焊接结构，无有机密封件，消除密封材料老化带来的零点变化。

产品测量原理为电容薄膜式，测量结果不受气体种类影响，无需气体修正。输出标准 0~10VDC 模拟信号，线性度优良，便于接入工控系统与压力控制器实现真空闭环稳压调控。配套密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶耐化学配方，耐受各类腐蚀性等离子工艺气体。产品经过长期老化、高低温交变、压力循环耐久测试，长时间持续生产工况下零点漂移指标稳定。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成继电器报警触点，压力超限触发预警，规避工艺风险。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜、等离子工艺系统、真空热处理炉、超高真空测试平台、实验室真空实验装置等场景。在长时间不间断的半导体自动化产线，依靠低零点漂移特性，减少零点漂移带来的测量误差；在多腔体并行工艺，降低定期零点校准维护工作量，提升生产效率与批次良率稳定性。

MKS 美国真空压力传感器，融合预张紧 Inconel 膜片、硬件温漂补偿、全金属焊接高气密腔体、气体无关测量等优势，长期运行零点偏移极小，减少停机校准，满足半导体、薄膜制造长时间连续真空工艺压力高精度监测的严苛工况需求。