【简介】MKS美国-真空压力传感器-高分辨率检测
具备高分辨率检测，可捕捉微小压力变化。Baratron 电容薄膜技术，Inconel 膜片弹性可逆，适合半导体真空微小压力精密监测。

MKS美国-真空压力传感器-高分辨率检测

MKS美国-真空压力传感器-高分辨率检测

MKS 美国真空压力传感器，依托 Baratron 电容薄膜传感技术，搭载径向张紧 Inconel 合金膜片，具备超高检测分辨率，可捕捉极其微小的压力变化，精准识别细微真空压力波动，为半导体精密工艺提供微小压力变化监测方案。

普通真空传感器分辨率不足，微小压力变化无法识别，在刻蚀、镀膜精细工艺调控中，微小压力偏差无法被检出，造成工艺控制出现细微偏移，长期累积会影响晶圆批次良率。MKS 这款传感器采用应力释放处理的径向预张紧 Inconel 膜片，弹性可逆形变优异，搭配高精度专用信号调理 ASIC 电路，分辨率可达满量程 0.001%，能够识别极微弱压力改变。测量原理为纯力学检测，测量数值仅由压力决定，不受气体种类影响，无需气体修正，保证微小压力读数真实可信。全金属焊接腔体无机械摩擦结构，消除机械噪声干扰，保障微弱压力信号可靠采集。

产品输出标准 0~10VDC 模拟信号，线性度优良，便于接入工控系统与压力控制器实现真空闭环稳压调控。腔体耐化学腐蚀，配套密封件可按需选用氟橡胶、全氟橡胶，耐受等离子、卤素等腐蚀工艺气体。部分加热型型号，减少可凝副产物沉积附着膜片，降低污染物造成的测量漂移。产品经过微压力步进测试、长期老化耐久测试，持续监测微小压力变化时分辨率指标稳定。可选配多种标准真空接口适配腔体安装；部分型号集成继电器报警触点，压力超限触发预警，保护工艺安全。

该传感器广泛应用于半导体刻蚀腔体、薄膜沉积镀膜、等离子工艺系统、微小压力真空测试平台、精密真空实验装置等场景。在压力微变的半导体制程中，捕捉细微压力波动，实现精细化压力闭环调控；在研发型真空实验平台，精准监测微小压力变化，满足新工艺开发阶段精细测试需求。

MKS 美国真空压力传感器，融合超高分辨率检测能力、Baratron 气体无关测量、Inconel 合金低迟滞膜片、全金属高气密焊接腔体等优势，捕捉微小压力变化，解决普通传感器无法识别微弱压力波动痛点，满足半导体、薄膜制造微小压力变化工况下真空压力高精度监测的严苛工况需求。