【简介】MKS美国-真空压力传感器-气体无依赖
采用 Baratron 电容薄膜技术，测量为力学压力检测，**气体无依赖**，无需气体系数修正，精度稳定，适配多种工艺气体，广泛用于半导体、真空镀膜等真空工艺监测。

MKS美国-真空压力传感器-气体无依赖

MKS美国-真空压力传感器-气体无依赖

美国 MKS 真空压力传感器，依托经典 Baratron® 电容薄膜传感技术，核心突出气体无依赖测量特性，是半导体、真空镀膜、等离子刻蚀、光学涂层等真空工艺中压力监测的核心测量器件，区别于皮拉尼等热传导型真空计，解决了传统真空计受气体组分干扰的痛点。

该传感器测量原理为力学测压：工艺压力作用于 Inconel 合金薄膜，膜片产生微小形变，改变膜片与固定电极之间的电容值，内部电路将电容变化转换为线性压力信号。其读数仅由压力带来的膜片受力形变决定，与被测气体分子量、气体种类、混合气体配比无关，无需针对不同气体进行系数修正，无论氮气、氩气、氦气或是各类腐蚀性工艺气体，均可直接读取真实压力值。

传统热传导真空计依靠气体导热特性检测压力，一旦工艺气体切换、气体比例发生变化，测量数值就会出现明显偏差，需要频繁校准修正。而 MKS 电容薄膜传感器不存在这一问题，在气体组分频繁变化的工艺腔体中，仍可保持测量结果准确稳定，大幅降低工艺调试工作量。传感器采用全焊接耐腐蚀结构，部分型号配备恒温加热模块，减少工艺副产物在膜片沉积，降低零点漂移，兼顾高精度与长期稳定性。

产品量程覆盖范围广，支持模拟量与数字通讯输出，可便捷接入真空控制系统，实现真空压力实时监测与闭环工艺控制，接口规格丰富，现场安装简单。在半导体薄膜沉积、刻蚀等工艺中，腔体内部常通入多种特种工艺气体，气体组分随工序动态变化，气体无依赖的测量特性，保障真空压力数据真实可靠，避免因气体变化造成压力误判，减少产品良率损失。

凭借气体无依赖这一核心优势，MKS Baratron 真空压力传感器长期作为真空压力测量基准级设备，广泛应用于精密制造、科研真空、航天测试等领域，成为多气体工况下真空压力测量的优选方案。