【简介】MKS美国-真空压力传感器-耐过压冲击
采用 Baratron 电容薄膜技术，结构坚固耐过压冲击，短时压力骤增不易损坏元件，测量稳定可靠，适用于半导体、真空镀膜等易出现压力波动的真空工况。

MKS美国-真空压力传感器-耐过压冲击

MKS美国-真空压力传感器-耐过压冲击

美国 MKS 真空压力传感器采用经典 Baratron 电容薄膜技术，核心优势为耐过压冲击，专门应对真空系统充气误操作、阀门故障等带来的瞬时压力突增工况，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、等离子工艺及科研真空测试等高要求场景。

传感器传感膜片选用高强度 Inconel 镍基合金，采用径向张拉工艺，弹性性能优异。内部设有限位止挡结构，当出现瞬时超压冲击时，膜片接触限位电极，限制最大形变行程，避免膜片发生塑性变形，可承受短时压力冲击而不损坏传感元件，卸除超压后膜片能够回弹至原始状态，零点不会发生明显偏移，无需立即停机校准MKS。传感器采用全焊接一体化密封结构，整体机械强度高，抗压力冲击能力强，相比普通真空压力传感器，在系统误进气、腔体泄压失控等突发工况下可靠性大幅提升。

真空工艺现场工况复杂，阀门误动作、管路气体瞬间冲入，极易产生突发压力尖峰。普通真空计遇到过压冲击容易造成膜片变形，直接报废，带来停机损失与更换成本。MKS 这款传感器凭借内置机械限位防护，可抵御短时超压冲击，在压力异常波动场景下有效保护核心传感单元，降低设备损坏风险。同时该传感器具备气体无依赖测量特性，测量结果不受工艺气体组分影响，兼顾高精度、良好重复性与长期稳定性。

产品量程覆盖广，支持模拟信号与数字通讯输出，接口标准化，安装便捷。部分型号可选恒温模块，抑制温度漂移，湿面耐腐蚀，适配多种特种工艺气体。在半导体量产产线中，真空腔体频繁进行充气抽气循环，系统存在突发过压风险。MKS 真空压力传感器依靠优异的抗过压冲击能力，降低传感器失效概率，减少备件更换和停机维护，保障产线连续稳定运行。凭借坚固可靠的结构设计与防护机制，MKS Baratron 真空压力传感器成为存在压力冲击风险的真空系统压力测量器件。