【简介】MKS美国-真空压力传感器-真空密封性佳
采用 Baratron 电容薄膜技术，全焊接一体化结构，真空密封性佳，漏率极低，杜绝漏气干扰测量，适配半导体、真空镀膜等高真空精密工艺监测

MKS美国-真空压力传感器-真空密封性佳

MKS美国-真空压力传感器-真空密封性佳

美国 MKS 真空压力传感器依托成熟 Baratron 电容薄膜传感技术，突出特点为真空密封性佳，采用全焊接一体化密封结构，摒弃传统粘接、钎焊等易渗漏工艺，整体漏率极低，广泛用于半导体刻蚀、薄膜沉积、真空镀膜、等离子工艺、高真空科研实验等对真空泄漏管控严苛的场景。

传感器传感腔体与工艺接触面采用 Inconel 镍基合金全焊接成型，焊缝连续致密，不存在缝隙渗漏隐患。其绝对压力型传感器内部参考腔为超高真空密闭腔体，内置吸气剂维持内部基准真空，依靠优异的本体密封性能，长期使用下基准真空不会缓慢衰减，保障传感器零点稳定，避免因内部微泄漏带来测量漂移。出厂全部经过氦检检漏测试，严格把控泄漏指标，确保传感器本体密封可靠。

在高真空工艺系统中，微小泄漏都会持续破坏腔体真空环境，造成压力读数失真，导致工艺参数失控，降低产品良率。普通真空传感器多存在密封接头、粘合界面等薄弱点，长期受工艺气体、温度循环影响容易出现微漏，需要频繁检漏维护。MKS 这款传感器凭借全焊接密封结构，本体泄漏风险大幅降低，减少系统检漏工作量，延长稳定运行周期。传感器湿面镍基合金材质同时具备良好耐腐蚀性，可耐受多种工艺气体与副产物侵蚀，进一步保护密封焊缝不被介质破坏。

该传感器为力学式测压，具备气体无依赖特性，测量不受气体组分影响，无需气体系数修正。高强度合金膜片抗蠕变，可承受反复压力循环与短时过压冲击。部分型号配备恒温控温模块，减少污染物沉积，稳定测量性能。产品支持模拟量与数字通讯输出，标准真空接口，安装便捷，量程覆盖广。

半导体制造工艺对真空系统气密性要求，传感器作为真空腔体的组成部件，自身密封性能直接决定整套真空系统的稳定性。MKS 真空压力传感器凭借优异的真空密封性能，有效杜绝本体微泄漏干扰，保证真空压力监测数据真实稳定，减少停机检漏维修成本。凭借可靠密封结构、Baratron 成熟传感技术与优良综合性能，成为高真空精密工艺压力监测的优选器件。