【简介】MKS美国-真空压力传感器-分辨率高
采用 Baratron 电容薄膜技术，分辨率高，可捕捉微小真空压力变化，信号灵敏，测量精准稳定，适用于半导体、真空镀膜等微压力精密监测场景

MKS美国-真空压力传感器-分辨率高

MKS美国-真空压力传感器-分辨率高

美国 MKS 真空压力传感器依托经典 Baratron 电容薄膜传感技术，突出核心优势为分辨率高，能够捕捉极其微小的真空压力波动，对微弱压力变化实现精准识别，广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、精密真空镀膜、等离子工艺、科研真空测试等微压力监测场景。

传感器核心采用超薄 Inconel 镍基合金膜片，膜片经过精密张拉工艺处理，极微小压力变化即可触发膜片形变，进而引起电容信号改变。搭配 MKS 高精度专用信号调理电路，可识别极细微的电容变化，部分型号分辨率可达满量程 0.001%，能够捕捉普通真空传感器无法分辨的微弱压力变化，即使在低压区间，依然具备优秀分辨能力，可精准监测工艺腔体内微小压力漂移。

在精密真空工艺中，很多工艺反应对微小压力波动高度敏感。普通真空传感器分辨率不足，无法识别细微压力变化，微小压力偏移无法及时检出，等到压力偏差放大后才会被发现，造成薄膜厚度不均、刻蚀形貌异常，直接影响产品良率。MKS 这款高分辨率传感器可以捕捉微量压力变动，实时反馈压力细微变化，为真空 PID 闭环控制提供精细信号，便于系统提前微调工艺参数，抑制微小扰动。

该传感器为力学式压力测量，具备气体无依赖特性，测量结果不受气体组分影响，无需气体系数修正。高强度合金膜片抗蠕变，耐反复压力循环，具备优异重复性与输出线性。传感器采用全焊接密封结构，真空漏率低，湿面耐介质腐蚀，可耐受部分腐蚀性工艺气体；部分型号内置恒温模块，降低温度漂移带来的信号干扰，进一步保障微弱压力信号稳定采集。产品支持模拟量、数字通讯输出，量程覆盖广，标准真空接口，安装便捷。

半导体精密制造工艺中，真空压力的微小波动直接影响工艺结果。MKS 真空压力传感器凭借高分辨率，精准捕捉真空腔体细微压力变化，实现精细化工艺监控，减少工艺批次差异，提升产品良率。依托 Baratron 成熟传感技术、精密膜片设计与高性能信号处理电路，该传感器成为微小真空压力监测场景的优选测量器件