MKS美国-真空压力传感器-耐过压冲击 采用 Baratron 电容薄膜技术，结构坚固耐过压冲击，短时压力骤增不易损坏元件，测量稳定可靠，适用于半导体、真空镀膜等易出现压力波动的真空工况。

MKS美国-真空压力传感器-重复性优异 采用 Baratron 电容薄膜技术，重复性优异，多次压力循环下读数一致性高，迟滞小，搭配耐腐蚀结构，多用于半导体、真空镀膜等精密真空工艺监测。

MKS美国-真空压力传感器-响应速度快 采用 Baratron 电容薄膜技术，响应速度快，可快速捕捉真空压力瞬时变化，信号输出灵敏，测量精准稳定，适用于半导体、真空镀膜等动态真空工艺监测。

MKS美国-真空压力传感器-气体无依赖 采用 Baratron 电容薄膜技术，测量为力学压力检测，**气体无依赖**，无需气体系数修正，精度稳定，适配多种工艺气体，广泛用于半导体、真空镀膜等真空工艺监测。

MKS美国-真空压力传感器-长期稳定性好 采用 Baratron 电容薄膜技术，长期稳定性优异，零点漂移小，重复性好，耐温抗腐蚀，测量不受气体种类影响，适配半导体、真空镀膜等精密真空工艺监测。

MKS美国-真空压力传感器-测量精度高 采用 Baratron 电容薄膜技术，测量精度高、长期稳定性优异，不受气体种类影响，量程覆盖广，耐腐蚀，广泛用于半导体、真空镀膜等精密真空检测场景