MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积结构 内腔抛光 + 可选加热温控,减少沉积物附着,降低膜片污染,适配半导体沉积刻蚀真空监测。
R750D
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2026-10-08
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MKS美国-压力传感器-半导体洁净室兼容设计 低释气、低掉尘,外壳防尘易清洁,满足 Class1 洁净环境,适配晶圆制造真空压力监测。
750D
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2026-10-08
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MKS美国-压力传感器-内壁低抛光洁净工艺 内腔高光洁度,减少气体吸附与颗粒滞留,低放气,适配半导体高纯真空工艺压力监测
750D51PFF4GA
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MKS美国-压力传感器-高纯工艺无析出材质 全金属低放气构造,无有机析出物,规避工艺污染,适配半导体超高纯净工艺真空压力监测
750D51PFF2GA
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MKS美国-压力传感器-蒸汽介质适配能力 全合金接液与焊接密封结构,耐水汽腐蚀,可抵御冷凝冲击,适配半导体蒸汽工艺真空压力监测
750D51PFE4GA
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MKS美国-压力传感器-臭氧介质适配特性 耐蚀合金全金属接液结构,抵御臭氧强氧化侵蚀,低放气,用于半导体臭氧氧化工艺真空压力监测
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