MKS美国-压力传感器-高压可达数千 PSIA 量程最高可达数千 PSIA，高压工况下保持高精度测量。坚固传感膜片，耐高压冲击，适配半导体工艺、特种高压腔体压力监测

MKS美国-压力传感器-超低压0.02Torr微量程 0.02Torr 微量程规格，采用电容薄膜传感技术，具备高分辨率，精准捕捉微弱压力变化，适用于半导体真空、精细等离子工艺低压监测

MKS美国-压力传感器-宽压力量程覆盖 实现宽压力量程覆盖，高精度电容薄膜检测，信号稳定。适配真空至中压区间，广泛用于半导体薄膜沉积、刻蚀等工艺腔体压力监测。

MKS美国-压力传感器-蚀刻防沉积专用结构 搭载防沉积结构，可选恒温加热，阻挡刻蚀副产物附着膜片。耐腐蚀接液面，抑制零点漂移，保障半导体刻蚀腔体真空压力稳定监测

MKS美国-压力传感器-抗工艺副产物沉积 搭载抗副产物沉积结构，可选恒温加热，抑制工艺副产物附着，降低零点漂移。镍基耐蚀合金接液面，适配半导体刻蚀、薄膜沉积真空压力监测

MKS美国-压力传感器-耐臭氧蒸汽去离子水 ，耐受臭氧、蒸汽与去离子水工况，抗氧化侵蚀，膜片性能稳定，适配湿法工艺与洁净腔体压力监测。